Samsung mostró el Z-SSD en forma de módulo M.2: tecnologías de servidor en un formato de consumo. Samsung anuncia SSD de consumo basados en memoria QLC
El ingeniero decidió elegir un SSD decente para el popular Skylake. En nuestros tiempos difíciles tiempo de SSD Hemos estado atrapados en SATA3 durante mucho tiempo, solo hay una salida: PCI Express, afortunadamente, cualquier placa base en el Z170 tiene M.2 y sus 4 líneas son suficientes para todos.
Seleccionando NVMe
Es necesario aclarar lo anterior. M.2 es solo un factor de forma. Los SSD conectados pueden funcionar tanto con el antiguo protocolo SATA3 (850 EVO M.2) como con NVMe. Entonces, NVMe es un nuevo protocolo de comunicación para que los SSD logren una baja latencia y un alto paralelismo de E/S. La velocidad también depende de la cantidad de líneas PCIe conectadas a la ranura M.2 de la placa base. En definitiva, hay muchos matices. Tengo un AsRock Z170 Gaming K4, tiene 4 carriles PCIe3 conectados a M.2. Todo lo que queda es encontrar uno rápido. SSD NVMe en factor de forma M.2.Desafortunadamente, la conexión sin conexión rápidamente arruinó mis sueños de un almacenamiento supersónico asequible. He estado mirando el Samsung PM951/SM951 - OEM durante algún tiempo Análogos de Samsung 950 M.2 Evo/Pro. Los OEM están destinados a portátiles, pero los astutos chinos de alguna manera los consiguen y los venden. Bueno, está bien, lo pensé. Mientras pensaba, se lanzó una nueva generación PM961/SM961, respectivamente, análogos OEM del Samsung 960 M.2 Evo/Pro. La elección recayó en el PM961 debido a la diferencia de precio; encontré uno en eBay. Se lo compré al vendedor a través del enlace de arriba, porque... Él fue el único que aceptó reducir el coste, lo cual es importante para la República de Bielorrusia. Pedí 15$ pero escribí 10$.
El módulo en sí: 
La foto del interior permite estimar las dimensiones del 2280: 
En pocas palabras sobre el módulo: controlador Samsung Polaris, memoria Samsung TLC V-NAND.
Pruebas utilidades de consola:
xubuntu@i7:~$ sudo hdparm -tT --direct /dev/nvme0n1 /dev/nvme0n1: Temporización de lecturas en caché O_DIRECT: 1686 MB en 2,00 segundos = 842,36 MB/seg Temporización de lecturas de disco O_DIRECT: 3760 MB en 3,00 segundos = 1253,18 MB /segundo
Xubuntu@i7:~$ sysbench --test=fileio --file-total-size=1G preparar xubuntu@i7:~$ sysbench --test=fileio --file-total-size=1G --file-test-mode =rndrw --max-time=300 --max-requests=0 --num-threads=64 ejecute sysbench 0.4.12: punto de referencia de evaluación de sistemas multiproceso Ejecutando la prueba con las siguientes opciones: Número de subprocesos: 64 Archivo adicional banderas abiertas: 0 128 archivos, 8 Mb cada uno Tamaño total de archivo de 1 Gb Tamaño de bloque 16 Kb Número de solicitudes aleatorias para IO aleatoria: 0 Relación de lectura/escritura para prueba de IO aleatoria combinada: 1,50 FSYNC periódico habilitado, llamando a fsync() cada 100 solicitudes. Llamando a fsync() en el fin de prueba, Habilitado. Usando el modo de E/S síncrono Haciendo pruebas aleatorias de lectura y escritura ¡Se iniciaron subprocesos! Tiempo límite excedido, saliendo... (último mensaje repetido 63 veces) Listo. Operaciones realizadas: 439416 Lectura, 292944 Escritura, 893813 Otras = 1626173 Lectura total 6.705 GB escrita 4.47 GB Total transferido 11.175 GB/SEC 2441.11 SOLICITUDES/SEC Exes Resumen de ejecución de prueba UTED: Tiempo total: 300.0111 s Número total de eventos: 732360 tiempo total tomado por ejecución de evento: 59,1198 estadísticas por solicitud: mín.: 0,00 ms promedio: 0,08 ms máximo: 25,21 ms aprox. Percentil 95: 0,07 ms Equidad de subprocesos: eventos (avg/stddev): 11443,1250/576,03 tiempo de ejecución (avg/stddev): 0,9237/0,05
A modo de comparación, los resultados del Crucial M500 240GB en una computadora portátil
Xubuntu@Z510:~$ sudo hdparm -tT --direct /dev/sda /dev/sda: Temporización de lecturas en caché de O_DIRECT: 948 MB en 2,00 segundos = 473,46 MB/seg. Temporización de lecturas de disco O_DIRECT: 1340 MB en 3,01 segundos = 445,92 MB /segundo
Xubuntu@Z510:~$ sysbench --test=fileio --file-total-size=1G preparar xubuntu@Z510:~$ sysbench --test=fileio --file-total-size=1G --file-test-mode =rndrw --max-time=300 --max-requests=0 --num-threads=64 ejecute sysbench 0.4.12: punto de referencia de evaluación de sistemas multiproceso Ejecutando la prueba con las siguientes opciones: Número de subprocesos: 64 Archivo adicional banderas abiertas: 0 128 archivos, 8 Mb cada uno Tamaño total de archivo de 1 Gb Tamaño de bloque 16 Kb Número de solicitudes aleatorias para IO aleatoria: 0 Relación de lectura/escritura para prueba de IO aleatoria combinada: 1,50 FSYNC periódico habilitado, llamando a fsync() cada 100 solicitudes. Llamar a fsync() al final de la prueba, habilitado. Usando el modo de E/S síncrono Haciendo una prueba aleatoria de lectura y escritura ¡Se iniciaron subprocesos! Límite de tiempo excedido, saliendo... (último mensaje repetido 63 veces) Listo. Operaciones realizadas: 164129 Lectura, 109429 Escritura, 348226 Otras = 621784 Total Lectura 2,5044 Gb Escrito 1,6698 Gb Total transferido 4,1742 Gb (14,246 Mb/seg) 911,72 Solicitudes/seg ejecutadas Resumen de ejecución de prueba: tiempo total: 300,0448 s número total de eventos 273 55 8 tiempo total necesario para la ejecución del evento: 102,8672 estadísticas por solicitud: mín.: 0,00 ms promedio: 0,38 ms máximo: 148,38 ms aprox. Percentil 95: 0,12 ms Equidad de subprocesos: eventos (avg/stddev): 4274,3438/250,28 tiempo de ejecución (avg/stddev): 1,6073/0,20
Conclusiones
De hecho, este SSD NVMe es varias veces más rápido que los SATA (no todos los NVMe son igualmente útiles), desafortunadamente en vida real No todos notarán la diferencia. El sistema operativo se iniciará un segundo más rápido, el navegador, medio segundo, etc. Los juegos, según quejas en Internet, generalmente utilizan mal el IO.También tenga en cuenta que el PM961 es casi una vez y media más caro que el clásico 850 EVO sin conexión y no hay garantía. Si no hay M.2 en la placa base, necesita comprar un adaptador PCI-E; no se incluye nada con el PM961, hola OEM.
Me parece que el destino de NVMe ahora son los servidores y las estaciones de trabajo. Bueno, geeks, por supuesto, pero deberían mirar estrictamente hacia el SM961 / 960 Pro. Personalmente, sentí la diferencia en los proyectos en funcionamiento (principalmente con bases de datos), pero ni siquiera allí se reveló el potencial: ~25% de aumento en IO (créame, no describiré los detalles - NDA).
¡Todo lo mejor y rápido IO!
Estoy pensando en comprar +21 Añadir a favoritos Me gustó la reseña +40 +76Las unidades SSD son cada vez más sistemas populares para almacenar información. La razón principal es que la producción de SSD se está volviendo más barata, el precio de las unidades está disminuyendo y la densidad de grabación de información está aumentando. Ahora están disponibles por mucho más. amplia gama compradores que hace 2-3 años. Los fabricantes no se detienen ahí y están intentando desarrollar unidades cada vez más avanzadas, rápidas y energéticamente eficientes con grandes cantidades de memoria.
Recientemente, Seagate lanzó el SSD más espacioso del mundo con una capacidad de 60 TB. Samsung Corporation anunció el lanzamiento de un disco un poco menos espacioso con una capacidad de 32 TB. Pero este sistema fue creado según Tecnología V-NAND Cuarta generación, gracias a la cual fue posible lograr una ubicación más densa de la información y reducir el tamaño del disco. Tamaño de SSD de Samsung - 2,5 pulgadas, de Seagate - 3,5.
El nuevo SSD no está diseñado para instalarse en portátiles normales o PC. Esta unidad está posicionada como sistema corporativo almacenamiento de información. Samsung SSD se instalará en equipo de servidor,sistemas de almacenamiento de datos. Las empresas de telecomunicaciones, que trabajan con un flujo de datos cada vez mayor, exigen a los fabricantes que produzcan sistemas de almacenamiento de datos cada vez más espaciosos y con una mayor densidad de registro de información. La empresa intenta producir soluciones que satisfagan las necesidades modernas de este tipo de empresas.
Samsung planea alcanzar los 100 TB de capacidad para SSD normal para 2020. Como se mencionó anteriormente, el SSD de 32 TB de Samsung es el primer dispositivo construido con tecnología V-NAND de cuarta generación. V-NAND es una tecnología de memoria flash “vertical” – 3D NAND. Las células de memoria se desmontan no solo en el plano, sino también verticalmente, capa por capa. El SSD actual utiliza memoria de 64 capas. La V-NAND de tercera generación tenía 48 capas.
En el conjunto de 48 capas, las capas verticales formaron una sola unidad gracias a la conexión a través de 1.800 millones de orificios de canal. Estos agujeros se crean mediante una técnica de grabado especial. Cada chip fabricado con el método anterior contiene en última instancia 85,3 mil millones de células. Cada celda almacena 3 bits de datos. El chip V-NAND de tercera generación proporciona 256 GB de almacenamiento de datos. Estos chips se apilan en capas.
Según representantes de Samsung, el modelo de 32 TB es más rápido y fiable que el anterior poseedor del récord de 15,36 TB. Las especificaciones del nuevo disco se anunciarán más adelante, aunque ya hay algunas detalles tecnicos. Este modelo SSD pertenece al tipo de unidad SAS (SCSI conectada en serie). No es compatible con las ranuras NVMe, que son cada vez más habituales en los nuevos tipos de dispositivos de almacenamiento. Samsung cree que SAS dominará en un futuro próximo, por lo que la compañía planea lanzar este tipo de SSD en un futuro próximo.
La corporación surcoreana también presentó Z-SSD, Flash NAND memoria, que se posiciona como almacenamiento para centros de datos donde se ubicará el caché u otros datos temporales. Estos tipos de medios están destinados a la instalación en matrices flash, donde, durante el procesamiento de grandes matrices de datos, se cargan mucho sistemas informáticos Se almacenan los resultados de los cálculos intermedios. Velocidad grabación secuencial Los datos en el Z-SSD son 1,6 veces mayores que los de la unidad SSD Samsung PM963 NVMe. Z-SSD se lanzará al mercado el próximo año.
SZ985 en memoria samsung Z-NAND Y esta última, como saben, es una versión más productiva de 3D NAND y Samsung la posiciona como directa competidor Intel Punto X 3D.
Samsung lleva mucho tiempo hablando de la memoria Z-NAND y de los SSD SZ985 basados en ella, y la presentación inicial de este SSD NVMe tuvo lugar allá por 2016. Al mismo tiempo, los coreanos esperaban que ya en 2016 aparecieran en el mercado las primeras unidades de este tipo con una capacidad de 1 TB, y en 2017 verían la luz. Capacidad SSD 2 y 4 TB.
Pero la compañía está muy retrasada y hoy Samsung lanzó solo SSD con capacidades de 240 y 800 GB. Samsung no dijo nada nuevo sobre Operación Z-SSD y solo noté que el SSD usa 1,5 GB de memoria LPDDR4. Nuevos SSD significativamente superior al Intel Optane SSD DC P4800X en términos de rendimiento al leer con acceso aleatorio en bloques de 4 KB: 550.000 IOPS para Intel y 750.000 IOPS para Samsung.
La desventaja es que el rendimiento de escritura del Samsung SZ985 es mucho menos impresionante con 170.000 IOPS. En otras palabras, es inmediatamente un 77% menor que el mismo rendimiento de lectura frente a una reducción de sólo el 9% en el rendimiento de lectura/escritura del Intel P4800X.
Samsung planea mostrar nuevas unidades de memoria Capacidad Z-SSD 800 y 240 GB en ISSCC 2018, que se celebrará del 11 al 15 de febrero en San Francisco.
Hace aproximadamente un año empresa samsung mostró un prototipo de unidades de estado sólido basado en un nuevo tipo de memoria flash, al que denominó Z-NAND. A principios de esta primavera Samsung del año prototipos SSD SZ985 en memoria Z-NAND (Z-SSD) con una capacidad de 1 TB (para usuarios volumen disponible modelos es de 800 GB). Para una unidad PCIe de longitud completa, esto es comparativamente pequeño volumen memoria, lo que nos hace pensar en la densidad de grabación de los chips Z-NAND.
Las últimas noticias en el sitio web de Business Korea confirman que la memoria Z-NAND es una memoria NAND 3D multicapa (en términos de Samsung, V-NAND) con un bit de datos escrito en cada celda. Esto limita volumen máximo Unidades Z-SSD, pero conduce a un mayor rendimiento, una latencia reducida y una mayor resistencia al desgaste.
Según la fuente, Samsung comenzó a discutir las condiciones de suministro de Z-SSD con los clientes hace algún tiempo. Se sabe que NetApp y Datera ya están estudiando prototipos de unidades en sus instalaciones. Desafortunadamente, producción en masa No es necesario esperar a que lleguen la memoria Z-NAND y las unidades Z-SSD. Según nuestros colegas surcoreanos, la producción del Z-SSD está prevista para el próximo año.
Queda por recordar que Memoria Z-SSD creada por Samsung como alternativa a la memoria 3D XPoint de Intel y Micron. La memoria 3D XPoint se caracteriza por una latencia extremadamente baja en el sector SSD, que se reduce a 10 μs para el modo de lectura. Las latencias de lectura para la unidad Samsung SZ985 se han reducido a 15 µs.
En cuanto a las velocidades establecidas en modo lectura, el Samsung SZ985 y el Intel Optane DC P4800X no supusieron un gran avance, aunque en general ambos modelos muestran un aumento significativo en relación al SSD medio. Entonces, modelo Samsung El SZ985 muestra velocidades establecidas de lectura y escritura de 3,2 GB/s, lo que es definitivamente más rápido Capacidades Intel Optane DC P4800X (2,4 GB/s de lectura y 2,1 GB/s de escritura). Los valores de IOPS para lectura de bloques aleatorios alcanzan los 750 mil y para escritura, 160 mil operaciones de E/S. El SZ985 se basa en el controlador propietario de la empresa bajo nombre en clave Fénix. Doble crecimiento Capacidades Z-SSD Se puede esperar el próximo año cuando la empresa
Samsung Corporation demostró unidad de estado sólido SZ985 basado en memoria Z-NAND en el factor de forma M.2. Este SSD se puede utilizar tanto para construir servidores con una ubicación densa de dispositivos de almacenamiento de datos como para computadoras de escritorio- estaciones de trabajo y PC para entusiastas.
Memoria Z-NAND y Unidades Z-SSD fueron presentados por Samsung como respuesta al desarrollo de la memoria 3D XPoint (Optane, QuantX) empresas intel y Micron. Al igual que 3D XPoint, Z-NAND se caracteriza por una durabilidad y rendimiento muy altos, pero a diferencia de sus competidores, Samsung no revela ningún detalle sobre la arquitectura Z-NAND. Dado que los Z-SSD están destinados principalmente a centros de datos, las unidades SZ985 siempre se demuestran (y, presumiblemente, se suministran) en el factor de forma de tarjeta HHHL con interfaz PCI Expresar. Al mismo tiempo, Samsung nunca ha mostrado “en vivo” los componentes de estas tarjetas, limitándose a demostraciones. modelos de computadora datos SSD. Por lo tanto, el SZ985 en el factor de forma M.2 le permite ver tanto Controlador Z-SSD y en el paquete de memoria Z-NAND.
Revelada en la Cumbre OCP la semana pasada, la unidad Samsung SZ985 M.2 se basa en controlador conocido Samsung Phoenix, que se utiliza para los dispositivos PM981 y PM983 (estos últimos aún no están en el mercado). Vale la pena señalar que la unidad demostrada está etiquetada como SZ983; sin embargo, teniendo en cuenta que las marcas en las muestras no siempre son correctas, es difícil sacar conclusiones de ellas. Según Samsung, el SZ985 M.2 está equipado con 240 o 480 GB accesible al usuario Memoria flash Z-NAND, que es bastante pequeño para los estándares de los centros de datos. En términos de rendimiento, Samsung afirma que el SZ985 M.2 tiene una velocidad de lectura sostenida de 3200 MB/s y una velocidad de escritura de 2800 MB/s. La unidad puede soportar hasta 30 sobrescrituras por día; Con una garantía de cinco años, esto significa que la versión de 480 GB es capaz de grabar hasta 262,8 petabytes de datos, una cantidad muy alta.
Según la etiqueta del modelo SSD de la exposición, lleva a bordo 240 GB de Z-NAND, alojados en cuatro carcasas en la parte frontal del módulo (así, la versión de 480 GB utilizará memoria en dos lados). A modo de comparación, la versión de 512 GB del PM981 utiliza dos paquetes de chips. Memoria V-NAND. Así, es obvio que la densidad de grabación de Z-NAND es radicalmente menor que la de V-NAND (3D NAND en la clasificación de Samsung), y el hecho de que Z-NAND sea un tipo de SLC (aunque fabricado con nueva tecnología), o MLC con un gran número Las llanuras pueden tener alguna base. Teniendo en cuenta que el Z-SSD se basa en un controlador para SSD de consumo de alta gama, es difícil esperar que la memoria en sí sea algo exótico.
Teniendo en cuenta la baja densidad de grabación de la memoria Z-NAND, así como su rendimiento alto resistencia al desgaste y rendimiento, hay muchas razones para creer que el Samsung SZ985 tendrá costos y precios altos. Aplicación práctica Este tipo de unidades estarán justificadas en máquinas que requieran el mayor rendimiento. Y resistencia al desgaste. Pueden ser tanto servidores como estaciones de trabajo, en las que el SZ985 se colocará en adaptadores PCI Express x16 como . Cuando se trata de ventas de Z-SSD a entusiastas, es poco probable que Samsung siga el camino Intel Optane 800P, ofreciendo unidades de baja capacidad, pero con rendimiento alto y redundante para de este mercado resistencia al desgaste.
