¿Qué es un dispositivo de memoria de sólo lectura? Usar discos duros como ROM

Memoria de sólo lectura (ROM) diseñado para el almacenamiento permanente y no volátil de información.

Por método de grabación ROM clasificados de la siguiente manera:

1. una vez programado por la mascarilla en el fabricante;
2. una vez programable por el usuario utilizando dispositivos especiales llamados programadores - PASEO ;
3. reprogramable o reprogramable ROM - RPZU.

ROM de máscara

Programación enmascarar ROM ocurre durante el proceso de fabricación de LSI. Generalmente en un chip semiconductor, todos elementos de almacenamiento (SE), y luego, en las operaciones tecnológicas finales, utilizando una fotomáscara de la capa de conmutación, se realizan conexiones entre las líneas de dirección, las líneas de datos y el propio elemento de almacenamiento. Esta plantilla (máscara) se realiza según los deseos del cliente según las tarjetas de pedido. La lista de posibles opciones para las tarjetas de pedido se proporciona en las especificaciones técnicas del IC. ROM. Semejante ROM se fabrican a base de matrices de diodos, transistores bipolares o MOS.

Enmascarar ROM basadas en una matriz de diodos

Esquema de tal ROM mostrado en la Fig. 12.1. Aquí las líneas horizontales son líneas de dirección y las líneas verticales son líneas de datos; en este caso, de ellas se toman números binarios de 8 bits. En este esquema, GE es la intersección condicional de la línea de dirección y la línea de datos. Toda la línea SE se selecciona cuando se aplica un cero lógico a la línea de dirección LA i c de la salida del decodificador correspondiente. Se escribe un 0 lógico en el GE seleccionado si hay un diodo en la intersección de líneas. D yo y LA yo porque en este caso, el circuito está cerrado: + 5 V, diodo, tierra en la línea de dirección. Si, en este ROM cuando se aplica la dirección 11 2, aparece una señal cero activa en la línea de dirección LA 3, tendrá un nivel lógico de 0, en el bus de datos. D 7 D 0 aparecerá información 01100011 2 .

Enmascarar ROMs basadas en una matriz de transistores MOS

Un ejemplo del circuito de esta ROM se muestra en la Fig. 12.2. La información se registra conectando o no conectando el transistor MOS en los puntos correspondientes del LSI. Al seleccionar una dirección específica en la línea de dirección correspondiente LA i aparece una señal lógica 1 activa, es decir potencial cercano al potencial de la fuente de alimentación + 5 V. Este 1 lógico se aplica a las puertas de todos los transistores de la fila y las abre. Si el drenaje del transistor está metalizado, en la línea de datos correspondiente D i aparece un potencial del orden de 0,2 0,3 V, es decir nivel lógico 0. Si el drenaje del transistor no está metalizado, el circuito especificado no está implementado, no habrá caída de voltaje a través de la resistencia R i, es decir, en el punto D Tendré un potencial de +5 V, es decir nivel lógico 1. Por ejemplo, si en el que se muestra en la Fig. 12.2 ROM a la dirección, envíe el código 01 2, en la línea de dirección LA 1 será el nivel activo 1, y en el bus de datos D 3 D 0 será el código 0010 2 .

Enmascarar ROMs basadas en una matriz de transistores bipolares

Diagrama de ejemplo de este ROM mostrado en la Fig. 12.3. La información también se registra mediante metalización o no metalización del área entre la base y la línea de dirección. Para seleccionar una línea GE por línea de dirección LA i, se suministra el 1 lógico. Durante la metalización, se suministra a la base del transistor, se abre debido a la diferencia de potencial entre el emisor (tierra) y la base (aproximadamente + 5 V). Esto cierra el circuito: + 5 V; resistencia R i; transistor abierto, tierra en el emisor del transistor. En el punto D En este caso, habrá un potencial correspondiente a la caída de voltaje a través del transistor abierto, aproximadamente 0,4 V, es decir. 0 lógico. Por tanto, se escribe un cero en el SE. Si la sección entre la línea de dirección y la base del transistor no está metalizada, no se implementa el circuito eléctrico especificado, la caída de voltaje a través de la resistencia R i no está presente, por lo que en la línea de datos correspondiente D Tendré un potencial de +5 V, es decir lógico 1. Al aplicar, por ejemplo, la dirección 00 2 en la que se muestra en la Fig. 12.3 ROM En la SD aparecerá el código 10 2.

Ejemplos enmascarar ROM se muestran en la Fig. 12.4, y en la tabla. 12.1 – sus parámetros.

Tabla 12.1. Parámetros de ROM de máscara

Designación BIS	Tecnología de fabricación	Capacidad de información, bits	Tiempo de muestreo, ns
505PE3	pMOS	512x8	1500
K555PE4	TTLSH	2Kx8	800
K568PE1	nMOS	2Kx8	120
K596RE1	TTL	8kx8	350

ROM programables

ROM programables (PASEO) son las mismas matrices de diodos o transistores que las ROM de máscara, pero con un diseño diferente del dispositivo electrónico. Elemento de memoria PASEO mostrado en la Fig. 12.5. El acceso a él se proporciona aplicando un 0 lógico a la línea de dirección. LA i. La escritura en él se lleva a cabo como resultado de la deposición (fusión) de cartuchos fusibles fotovoltaicos conectados en serie con diodos, emisores de transistores bipolares y drenajes de transistores MOS. El eslabón fusible fotovoltaico es una pequeña sección de metalización que se destruye (funde) cuando se programa con pulsos de corriente de 50 a 100 microamperios y una duración de aproximadamente 2 milisegundos. Si se guarda la inserción, entonces se escribe un 0 lógico en el EE, ya que el circuito entre la fuente de alimentación y tierra se implementa en LA i a través de un diodo (en matrices de transistores, a través de un transistor abierto). Si se destruye el inserto, entonces el circuito especificado no existe y se escribe un 1 lógico en el GE.

Memoria de sólo lectura (ROM)– Una memoria diseñada para almacenar información inmutable (programas, constantes, funciones de tablas). En el proceso de resolución de problemas, la ROM solo permite leer información. Como ejemplo típico del uso de ROM, podemos señalar la ROM LSI utilizada en las PC para almacenar BIOS (Sistema básico de entrada y salida).

En el caso general, un dispositivo de almacenamiento ROM (un conjunto de sus celdas de almacenamiento) con una capacidad de palabras EPROM, una longitud de r+ 1 dígito cada uno, generalmente un sistema de EPROMS horizontales (dirección) y r+ 1 conductores verticales (descarga), que en los puntos de intersección se pueden conectar mediante elementos de acoplamiento (Fig. 1.46). Los elementos de comunicación (EC) son fusibles o pag-norte-transiciones. La presencia de un elemento de conexión entre jª horizontal y i Los conductores verticales significa que en i-ésimo dígito del número de celda de memoria j Se escribe uno, la ausencia de ES significa que aquí se escribe cero. Escribir una palabra al número de celular j La ROM se produce mediante la disposición adecuada de los elementos de comunicación entre los conductores de bits y el número de cable de dirección. j. Leer una palabra del número de celular j La ROM va así.

Arroz. 1.46. Almacenamiento ROM con capacidad de palabras EPROM, una longitud de r+ 1 dígito cada uno

código de dirección A = j se descifra, y en el conductor horizontal el número j El variador recibe voltaje de la fuente de alimentación. Aquellos de los conductores de bits que están conectados al conductor de dirección seleccionado mediante elementos de comunicación están energizados. Ud. Unidad de 1 nivel, los conductores de descarga restantes permanecen energizados Ud. 0 nivel cero. Conjunto de señales Ud. 0 y Ud. 1 en los conductores de bits y forma el contenido del número PL j, es decir, la palabra en la dirección A.

Actualmente, las ROM se construyen a partir de ROM LSI que utilizan semiconductores ES. La ROM LSI generalmente se divide en tres clases:

– máscara (MPZU);

– programable (PROM);

– reprogramable (RPM).

ROM de máscara(ROM - de memoria de solo lectura): ROM en la que se escribe información desde una fotomáscara durante el proceso de crecimiento de un cristal. Por ejemplo, LSI ROM 555RE4 con una capacidad de 2 kbytes es un generador de caracteres que utiliza el código KOI-8. La ventaja de las ROM de máscara es su alta confiabilidad, pero la desventaja es su baja capacidad de fabricación.

ROM programables(PROM - ROM programable) - ROM, cuya información es escrita por el usuario mediante dispositivos especiales: programadores. Estos LSI se fabrican con un conjunto completo de ES en todos los puntos de intersección de los conductores de dirección y bits. Esto aumenta la capacidad de fabricación de dichas LSI y, por tanto, su producción y uso en masa. La grabación (programación) de información en EEPROM la realiza el usuario en el lugar de su uso. Esto se hace quemando los elementos de comunicación en aquellos puntos donde se deben escribir ceros. Señalemos, por ejemplo, el TTLSH-BIS PROM 556RT5 con una capacidad de 0,5 kbytes. La confiabilidad de las LSI EPROM es menor que la de las LSI enmascaradas. Antes de programarlos, se deben probar para detectar la presencia de ES.

En MPOM y PROM es imposible cambiar el contenido de su PL. ROM flasheables(RPM) permiten múltiples cambios de la información almacenada en ellos. De hecho, RPOM es RAM en la que t Salario>> t Jueves. Reemplazar el contenido de la ROM comienza con borrar la información almacenada en ella. Se encuentran disponibles ROM con borrado de información eléctrico (EEPROM) y ultravioleta (UVEPROM). Por ejemplo, el RPOM LSI KM1609RR2A con borrado eléctrico con una capacidad de 8 kbytes se puede reprogramar al menos 104 veces, almacena información durante al menos 15.000 horas (aproximadamente dos años) en estado encendido y al menos 10 años en estado apagado. LSI RPOM con borrado ultravioleta K573RF4A con una capacidad de 8 kbytes permite al menos 25 ciclos de reescritura, almacena información en estado encendido durante al menos 25 000 horas y en estado apagado durante al menos 100 000 horas.

El objetivo principal de los RPOM es utilizarlos en lugar de las ROM en sistemas de desarrollo y depuración de software, sistemas de microprocesadores y otros, cuando sea necesario realizar cambios en los programas de vez en cuando.

El funcionamiento de una ROM se puede considerar como una conversión uno a uno. norte código de dirección de bits A V norte Código de bits de la palabra leída, es decir La ROM es un conversor de códigos (máquina digital sin memoria).

En la Fig. La figura 1.47 muestra una imagen convencional de una ROM en los diagramas.

Arroz. 1.47. Imagen ROM condicional

El diagrama funcional de la ROM se muestra en la Fig. 1.48.

Arroz. 1.48. Diagrama funcional de ROM

Según la terminología adoptada entre los especialistas en dispositivos de almacenamiento, el código ingresado se llama dirección, 2 norte autobuses verticales - rectas numéricas, metro salidas: por bits de la palabra almacenada. Cuando llega cualquier código binario a la entrada de la ROM, siempre se selecciona una de las líneas numéricas. En este caso, en la salida de aquellos elementos OR cuya conexión con una determinada recta numérica no se destruye, aparece 1. Esto significa que 1 está escrito en este bit de la palabra seleccionada (o recta numérica). cuya conexión con la recta numérica seleccionada se queme, quedarán ceros. La ley de programación también puede ser inversa.

Por tanto, la ROM es una unidad funcional con norte entradas y metro almacenamiento de salidas 2 norte metro- palabras de bits que no cambian durante el funcionamiento de un dispositivo digital. Cuando se aplica una dirección ROM a la entrada, la palabra correspondiente aparece en la salida. En el diseño lógico, la memoria de sólo lectura se considera una memoria con un conjunto fijo de palabras o un convertidor de código.

En los diagramas (ver Fig. 1.47), la ROM se designa como ROM. Los dispositivos de memoria de solo lectura generalmente tienen una entrada de habilitación E. Cuando el nivel de entrada E está activo, la ROM realiza sus funciones. Si no hay resolución, las salidas del microcircuito están inactivas. Puede haber varias entradas de habilitación, luego el microcircuito se desbloquea cuando las señales en estas entradas coinciden. En ROM, la señal E a menudo se denomina lectura CT (lectura), selección de chip VM, selección de cristal VC (selección de chip - CS).

Los chips ROM son ampliables. Para aumentar el número de bits de palabras almacenadas, todas las entradas de los microcircuitos se conectan en paralelo (Fig. 1.49, A), y del número total aumentado de salidas, la palabra de salida se elimina según la profundidad de bits aumentada.

Para aumentar el número de palabras almacenadas (Fig. 1.49, b) las entradas de dirección de los microcircuitos se conectan en paralelo y se consideran bits de orden inferior de la nueva dirección ampliada. Los bits de orden superior agregados de la nueva dirección se envían al decodificador, que selecciona uno de los microcircuitos utilizando las entradas E. Con un pequeño número de microcircuitos, la decodificación de los bits más significativos se puede realizar mediante la combinación de las entradas de habilitación de las propias ROM. Las salidas de los mismos bits deben combinarse mediante funciones OR a medida que aumenta el número de palabras almacenadas. No se requieren elementos OR especiales si las salidas de los chips ROM se realizan según un circuito colector abierto para combinar mediante el método OR de cableado, o según un circuito buffer de tres estados, que permite la combinación física directa de las salidas.

Las salidas de los chips ROM suelen ser inversas y la entrada E suele estar invertida. Aumentar la ROM puede requerir la introducción de amplificadores de búfer para aumentar la capacidad de carga de algunas fuentes de señal, teniendo en cuenta los retrasos adicionales introducidos por estos amplificadores, pero en general. con cantidades de memoria relativamente pequeñas, lo cual es típico de muchos centros de control (por ejemplo, dispositivos de automatización), la ampliación de la ROM no suele dar lugar a problemas fundamentales.

Arroz. 1.49. Aumentar el número de bits de palabras almacenadas cuando las entradas de microcircuitos están conectados en paralelo y aumentar el número de palabras almacenadas cuando las entradas de direcciones de microcircuitos están conectadas en paralelo

Este artículo le dirá qué son la RAM y la ROM, así como las diferencias.

Navegación

Este artículo le informará sobre ¿Qué es RAM y ROM en un teléfono?, así como formas de ayudar borra la RAM de tu teléfono inteligente en la plataforma Android.

En el mundo de la tecnología ha resultado que existen dos fuentes de memoria, cuyo propósito es el mismo, pero el principio de su funcionamiento es completamente diferente. Por lo tanto, al comprar una tableta o un teléfono, vale la pena comprender qué es la memoria interna y la memoria de acceso aleatorio (RAM) del dispositivo.

¿Cuál es la diferencia entre RAM y ROM?

La principal diferencia entre los dos tipos de memoria es su cita.

Memoria de acceso aleatorio (RAM)– este dispositivo está diseñado para el almacenamiento temporal de memoria, que se utiliza al ejecutar procesadores en segundo plano, es decir, programas, juegos, navegador, etc. La RAM se formatea cuando apaga su teléfono inteligente o tableta. Por eso, a la hora de comprar un smartphone, conviene prestar mucha atención a la cantidad de memoria RAM.

Memoria de sólo lectura (ROM)– memoria diseñada para almacenar el sistema operativo de su teléfono inteligente o tableta. El dispositivo de memoria suele ser un elemento desencadenante. Vale la pena señalar que este recuerdo es imborrable. Después de todo, como usted sabe, si la ROM falla, todo el sistema de su dispositivo fallará, por lo que su dispositivo deberá enviarse a reparar.

¿Cuál es la memoria interna del dispositivo?

Memoria interna del dispositivo Implica una tarjeta de memoria incorporada que está insertada en la placa de su dispositivo. Está pensado para descargar aplicaciones, juegos, etc. .apk archivos, pero no sólo eso, también puedes descargar fotos y vídeos familiares, así como pistas de música.

¿Qué es la memoria del dispositivo externo?

Memoria del dispositivo externo Se llama compartimento extraíble para tarjetas de memoria Micro SD, que normalmente se encuentra debajo de la batería o en el borde de su teléfono.

A su vez, las tarjetas de memoria te permiten ampliar la memoria total de tu teléfono junto con la memoria interna de tu dispositivo. Gracias a la gran cantidad de memoria de su dispositivo, obtiene más funciones, por ejemplo, puede descargar más películas o pistas de música.

Sino elección Las tarjetas de memoria Micro SD deben abordarse con más atención y no ahorres dinero a ella. Después de todo, comprenda una cosa: si compra una tarjeta de memoria barata, seguramente ahorrará en ella, pero cuando pierda fotos de su álbum familiar, se arrepentirá mucho de haber ahorrado dinero.

¿Cómo borrar la memoria RAM en un dispositivo Android?

Hay muchas formas de borrar la memoria de un dispositivo de memoria de acceso aleatorio, o la llamada RAM, y ahora enumeraremos las más efectivas.

Usando la herramienta interna para limpiar el sistema.

Hoy en día, muchos fabricantes incorporan de forma predeterminada una función de limpieza de RAM para proporcionar al usuario la máxima comodidad y conveniencia. Después de todo, son las "utilidades integradas" las más efectivas y su acción se lleva a cabo con solo deslizar un dedo en el teléfono inteligente, después de lo cual notará que el teléfono se ha vuelto más rápido, ya que aplicaciones y procesos en segundo plano han sido cerrados.

Limpieza de RAM a través del menú. ajustes

Este método le permite borrar la memoria RAM de manera más eficiente.

Para ello sólo tienes que ir a "Menú", y luego "Ajustes" y elige ahí "Gestión de aplicaciones", donde debes ir a la pestaña "Laboral"

A continuación verás memoria RAM, así como lo ocupada y libre que está. Esta pestaña enumera los programas que se están ejecutando actualmente en el proceso en segundo plano. Por lo tanto, si dejas de funcionar, notarás que la memoria RAM comenzará a liberarse y el teléfono comenzará a funcionar más rápido.

Maestro Limpio- optimización del sistema.

Este programa es bastante popular en Google Play, lo único que nos dice de esto es que si ingresas la palabra "limpieza", entonces el programa Maestro Limpio vendrá primero. Y, por cierto, este programa merece el liderazgo con razón, porque es capaz de limpiar no solo la RAM, sino también formatear el sistema operativo de escoria y basura innecesaria en su dispositivo.

Este programa también te permite determinar la cantidad de memoria RAM en tu dispositivo. Se puede borrar la RAM presionando un botón "Acelerar"

Vale la pena señalar que el método más eficaz para limpiar la RAM es el programa Clean Master. Pero si no tiene la capacidad de acceder a Internet desde un teléfono inteligente, entonces las utilidades integradas para borrar la memoria RAM son muy adecuadas para usted, o si comprende el propósito de cada uno de los programas en ejecución, puede borrar manualmente el Memoria RAM, pero tenga cuidado de que si cierra accidentalmente un programa que es importante para el funcionamiento de su teléfono inteligente, puede esperar un funcionamiento incorrecto de la plataforma.

Al final de este artículo, me gustaría enfatizar que borrar la RAM en un teléfono inteligente con Android influye en gran medida en cómo se comportará y cuál será su rendimiento.

Al fin y al cabo, para que la interacción sea óptima y suficiente para el trabajo, es necesario limpiar la memoria después de cada uso del smartphone.

Vídeo: ¿Cómo liberar memoria RAM en un smartphone?

Todos los dispositivos de memoria de solo lectura (ROM) se pueden dividir en los siguientes grupos:

● programable en fabricación (designado como ROM o ROM);

● con programación única, que permite al usuario cambiar una vez eléctricamente el estado de la matriz de memoria según un programa determinado (designado como PROM o PROM);

● reprogramable (reprogramable), con posibilidad de reprogramación eléctrica múltiple, con borrado eléctrico o ultravioleta de información (denominado RPROM o RPROM).

Para brindar la capacidad de combinar salidas al expandir la memoria, todas las ROM tienen salidas de tres estados o salidas de colector abierto.

(xtypo_quote) En EEPROM, la unidad está construida sobre celdas de almacenamiento con enlaces fusibles hechos de nicromo u otros materiales refractarios. El proceso de grabación consiste en quemar selectivamente eslabones fusibles. (/xtypo_quote)
En ROM, las celdas de almacenamiento se construyen sobre la base de tecnologías MOS. Se utilizan diversos fenómenos físicos de almacenamiento de carga en el límite entre dos medios dieléctricos diferentes o un medio conductor y dieléctrico.

En el primer caso, el dieléctrico debajo de la puerta del transistor MOS está formado por dos capas: nitruro de silicio y dióxido de silicio (SiN 4 - SiO 2). Se descubrió que en la estructura compleja SiN 4 - SiO 2, cuando cambia el voltaje eléctrico, se produce una histéresis de carga en la interfaz entre las dos capas, lo que permite crear células de memoria.

En el segundo caso, la base de la celda de memoria es un transistor MOSFET de inyección de avalancha con puerta flotante (AFL MOS). La estructura simplificada de dicho transistor se muestra en la Fig. 3.77.
En un transistor de inyección de avalancha con una puerta flotante, a un voltaje de drenaje suficientemente alto, se produce una ruptura reversible del dieléctrico por avalancha y se inyectan portadores de carga en la región de la puerta flotante. Dado que la compuerta flotante está rodeada por un dieléctrico, la corriente de fuga es pequeña y el almacenamiento de la información está garantizado durante un largo período de tiempo (decenas de años). Cuando se aplica voltaje a la puerta principal, la carga se disuelve debido al efecto túnel, es decir. borrando información.

A continuación se muestran algunas características de la ROM (Tabla 3.1).

La industria produce una gran cantidad de chips ROM. Tomemos como ejemplo dos chips ROM (figura 3.78).

En los diagramas se utilizan las siguientes designaciones: A i - entradas de direcciones; D i — salidas de información; CS: selección de chips; CE - permiso de salida.

El chip K573RF5 es una ROM reprogramable (RPM) con borrado ultravioleta, que tiene una estructura de 2Kx8. En términos de entrada y salida, este microcircuito es compatible con estructuras TTL. El chip K556RT5 es una ROM programable de una sola vez, hecha sobre la base de estructuras TTLSH, entrada y salida compatible con estructuras TTL, que tiene una estructura x8 de 512 bits.

Tipos de ROM

ROM significa memoria de sólo lectura, que proporciona almacenamiento no volátil de información en cualquier medio físico. Según el método de almacenamiento de información, la ROM se puede dividir en tres tipos:

1. ROM basadas en el principio magnético de almacenamiento de información.

El principio de funcionamiento de estos dispositivos se basa en cambiar la dirección del vector de magnetización de secciones de un ferroimán bajo la influencia de un campo magnético alterno de acuerdo con los valores de los bits de la información registrada.

Un ferroimán es una sustancia capaz de poseer magnetización a una temperatura inferior a un cierto umbral (punto de Curie) en ausencia de un campo magnético externo.

La lectura de los datos registrados en dichos dispositivos se basa en el efecto de la inducción electromagnética o el efecto magnetorresistivo. Este principio se implementa en dispositivos con medios móviles en forma de disco o cinta.

La inducción electromagnética es el efecto de la generación de corriente eléctrica en un circuito cerrado cuando cambia el flujo magnético que lo atraviesa.

El efecto magnetorresistivo se basa en un cambio en la resistencia eléctrica de un conductor sólido bajo la influencia de un campo magnético externo.

La principal ventaja de este tipo es el gran volumen de información almacenada y el bajo coste por unidad de información almacenada. La principal desventaja es la presencia de piezas móviles, grandes dimensiones, baja fiabilidad y sensibilidad a influencias externas (vibraciones, golpes, movimientos, etc.)

2. ROM basadas en el principio óptico de almacenamiento de información.

El principio de funcionamiento de estos dispositivos se basa en cambiar las propiedades ópticas de una parte del medio, por ejemplo, cambiando el grado de transparencia o reflectancia. Un ejemplo de ROM basado en el principio óptico de almacenar información son los discos CD, DVD y BluRay.

La principal ventaja de este tipo de ROM es el bajo coste del soporte, la facilidad de transporte y la posibilidad de replicación. Desventajas: baja velocidad de lectura/escritura, número limitado de reescrituras, necesidad de un dispositivo de lectura.

3. ROM basadas en el principio eléctrico de almacenamiento de información.

El principio de funcionamiento de estos dispositivos se basa en los efectos de umbral en las estructuras semiconductoras: la capacidad de almacenar y registrar la presencia de carga en un área aislada.

Este principio se utiliza en la memoria de estado sólido: memoria que no requiere el uso de partes móviles para leer/escribir datos. Un ejemplo de ROM basado en el principio eléctrico de almacenar información es la memoria flash.

La principal ventaja de este tipo de ROM es su alta velocidad de lectura/escritura, compacidad, confiabilidad y eficiencia. Desventajas: número limitado de reescrituras.

Actualmente existen o están en etapa de desarrollo otros tipos “exóticos” de memoria permanente, como por ejemplo:

Memoria magnético-óptica– memoria que combina las propiedades del almacenamiento óptico y magnético. La escritura en dicho disco se realiza calentando la celda con un láser a una temperatura de aproximadamente 200 o C. La celda calentada pierde su carga magnética. A continuación, la celda se puede enfriar, lo que significará que se escribirá un cero lógico en la celda, o recargar con un cabezal magnético, lo que significará que se escribirá un cero lógico en la celda.

Una vez enfriada, la carga magnética de la celda no se puede cambiar. La lectura se realiza con un rayo láser de menor intensidad. Si las células contienen una carga magnética, el rayo láser está polarizado y el lector determina si el rayo láser está polarizado. Debido a la "fijación" de la carga magnética durante el enfriamiento, los magnético-ópticos tienen una alta confiabilidad de almacenamiento de información y, en teoría, pueden tener una densidad de grabación mayor que la ROM basada únicamente en el principio magnético de almacenamiento de información. Sin embargo, no pueden sustituir a los discos "duros" debido a la bajísima velocidad de grabación provocada por la necesidad de un alto calentamiento de las células.

La memoria magnético-óptica no se utiliza mucho y se utiliza muy raramente.

memoria molecular– memoria basada en la tecnología de microscopía de túnel atómico, que permite eliminar o añadir átomos individuales a moléculas, cuya presencia luego puede leerse mediante cabezales sensibles especiales. Esta tecnología fue presentada a mediados de 1999 por Nanochip y, en teoría, permitió alcanzar una densidad de empaquetado de aproximadamente 40 Gbit/cm 2, decenas de veces mayor que la de los modelos en serie existentes de discos duros, pero la grabación es demasiado baja. La velocidad y la fiabilidad de la tecnología no nos permiten hablar sobre el uso práctico de la memoria molecular en un futuro previsible.

Memoria holográfica– se diferencia de los tipos de memoria permanente más comunes que existen, que utilizan una o dos capas superficiales para la grabación, por la capacidad de grabar datos en todo el volumen de la memoria utilizando diferentes ángulos de láser. El uso más probable de este tipo de memoria es en ROM basadas en almacenamiento óptico de información, donde los discos ópticos con varias capas de información ya no son una novedad.

Hay otros tipos muy exóticos de memoria permanente, pero incluso en condiciones de laboratorio se mantienen al borde de la ciencia ficción, así que no los mencionaré, esperaremos y veremos.