Где прогресс в оперативной памяти и зачем её разгонять? Тест: разгон недорогой оперативной памяти DDR3

Мы уже рассказывали о том, как разгонять процессоры и видеокарты. Еще один компонент, достаточно ощутимо влияющий на производительность отдельно взятого компьютера, - оперативная память. Форсирование и тонкая настройка режима работы ОЗУ позволяют повысить быстродействие ПК в среднем на 5-10%. Если подобный прирост достигается без каких-либо денежных вложений и не влечет риски для стабильности системы - почему бы не попробовать? Однако начав готовить данный материал, мы пришли к выводам о том, что описания собственно процесса разгона будет недостаточно. Понять, почему и для чего надо изменять определенные настройки работы модулей, можно, лишь вникнув в суть работы подсистемы памяти компьютера. Потому в первой части материала мы кратко рассмотрим общие принципы функционирования ОЗУ. Во второй приведены основные советы, которых следует придерживаться начинающим оверклокерам при разгоне подсистемы памяти.

Основные принципы функционирования оперативной памяти одинаковы для модулей разных типов. Ведущий разработчик стандартов полупроводниковой индустрии JEDEC предоставляет возможность каждому желающему ознакомиться с открытыми документами, посвященными этой тематике. Мы же постараемся кратко объяснить базовые понятия.

Итак, оперативная память - это матрица, состоящая из массивов, именуемых банками памяти. Они формируют так называемые информационные страницы. Банк памяти напоминает таблицу, каждая ячейка которой имеет координаты по вертикали (Column) и горизонтали (Row). Ячейки памяти представляют собой конденсаторы, способные накапливать электрический заряд. С помощью специальных усилителей аналоговые сигналы переводятся в цифровые, которые в свою очередь образуют данные. Сигнальные цепи модулей обеспечивают подзарядку конденсаторов и запись/считывание информации.

Алгоритм работы динамической памяти можно описать такой последовательностью:

1. Выбирается чип, с которым будет осуществляться работа (команда Chip Select, CS). Электрическим сигналом проводится активация выбранной строки (Row Activate Selection). Данные попадают на усилители и могут быть считаны определенное время. Эта операция в англоязычной литературе называется Activate.
2. Данные считываются из соответствующей колонки/записываются в нее (операции Read/Write). Выбор колонок проводится командой CAS (Column Activate Selection).
3. Пока строка, на которую подан сигнал, остается активной, возможно считывание/запись соответствующих ей ячеек памяти.
4. При чтении данных - зарядов конденсаторов - их емкость теряется, поэтому требуется подзарядка или закрытие строки с записью информации в массив памяти (Precharge).
5. Конденсаторы-ячейки со временем теряют свою емкость и требуют постоянной подзарядки. Эта операция - Refresh - выполняется регулярно через отдельные промежутки (64 мс) для каждой строки массива памяти.

На выполнение операций, происходящих внутри оперативной памяти, уходит некоторое время. Именно его и принято называть таким знакомым словом «тайминги» (от англ. time). Следовательно, тайминги - временные промежутки, необходимые для выполнения тех или иных операций, осуществляющихся в работе ОЗУ.

Схема таймингов, указываемых на стикерах модулей памяти, включает в себя лишь основные задержки CL-tRCD-tRP-tRAS (CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Cycle Time (или Active to Precharge)). Все остальные, в меньшей мере оказывающие влияние на скорость работы ОЗУ, принято называть субтаймингами, дополнительными или второстепенными таймингами.

Приводим расшифровку основных задержек, возникающих при функционировании модулей памяти:

CAS Latency (CL) - пожалуй, самый важный параметр. Определяет минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).

RAS to CAS Delay (tRCD) определяет интервал времени между подачей команд RAS и CAS. Обозначает число тактов, необходимых для поступления данных в усилитель.

RAS Precharge (tRP) - время, уходящее на перезарядку ячеек памяти после закрытия банка.

Row Active Time (tRAS) - временной промежуток, на протяжении которого банк остается открытым и не требует перезарядки.

Command Rate 1/2T (CR) - время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. При значении 1T команда распознается за один такт, при 2T - за два.

Bank Cycle Time (tRC, tRAS/tRC) - время полного такта доступа к банку памяти, начиная с открытия и заканчивая закрытием. Изменяется вместе с tRAS.

DRAM Idle Timer - время простоя открытой информационной страницы для чтения данных с нее.

Row to Column (Read/Write) (tRCD, tRCDWr, tRCDRd) напрямую связан с параметром RAS to CAS Delay (tRCD). Вычисляется по формуле tRCD(Wr/Rd) = RAS to CAS Delay + Rd/Wr Command Delay. Второе слагаемое - величина нерегулируемая, определяет задержку на выполнение записи/чтения данных.

Пожалуй, это базовый набор таймингов, зачастую доступный для изменения в BIOS материнских плат. Расшифровку остальных задержек, как и детальное описание принципов работы и определение влияния тех или иных параметров на функционирование ОЗУ можно найти в спецификациях уже упомянутой нами JEDEC, а также в открытых datasheet производителей наборов системной логики.

Таблица соответствия реальной, эффективной частоты работы и рейтинга разных типов ОЗУ

Тип памяти	Рейтинг	Реальная частота работы памяти, МГц	Эффективная частота работы памяти (DDR, Double Data Rate), МГц
DDR	PC 2100	133	266
	PC 2700	167	333
	PC 3200	200	400
	ЗС 3500	217	434
	PC 4000	250	500
	PC 4300	266	533
DDR2	PC2 4300	266	533
	PC2 5400	333	667
	PC2 6400	400	800
	PC2 8000	500	1000
	PC2 8500	533	1066
	PC2 9600	600	1200
	PC2 10 400	650	1300
DDR3	PC3 8500	533	1066
	PC3 10 600	617,5	1333
	PC3 11 000	687,5	1375
	PC3 12 800	800	1600
	PC3 13 000	812,5	1625
	PC3 14 400	900	1800
	PC3 15 000	933	1866
Отметим, что числовое обозначение рейтинга в данном случае согласно спецификациям JEDEC указывает на скорость в миллионах передач в секунду через один вывод данных. Что касается быстродействия и условных обозначений, то вместо эффективной частоты работы правильнее говорить, что скорость передачи данных в два раза больше тактовой частоты модуля (данные передаются по двум фронтам сигналов тактового генератора).

Основные тайминги памяти

Объяснение одного из таймингов tRP (Read to Precharge, RAS Precharge) с помощью типичной схемы в datasheet от JEDEC. Расшифровка подписей: CK и CK - тактовые сигналы передачи данных, инвертированные один относительно другого (Differential Clock); COMMAND - команды, поступающие на ячейки памяти; READ - операция чтения; NOP - команды отсутствуют; PRE - подзарядка конденсаторов - ячеек памяти; ACT - операция активации строки; ADDRESS - адресация данных к банкам памяти; DQS - шина данных (Data Strobe); DQ - шина ввода-вывода данных (Data Bus: Input/Output); CL - CAS Latency в данном случае равен двум тактам; DO n - считывание данных со строки n. Один такт - временной промежуток, необходимый для возврата сигналов передачи данных CK и CK в начальное положение, зафиксированное в определенный момент.

Упрощенная блок-схема, объясняющая основы работы памяти стандарта DDR2. Она создана с целью демонстрации возможных состояний транзисторов и команд, которые их контролируют. Как видите, чтобы разобраться в столь «простой» схеме, потребуется не один час изучения основ работы ОЗУ (мы уже не говорим о понимании всех процессов, происходящих внутри чипов памяти).

Основы разгона оперативной памяти

Быстродействие ОЗУ в первую очередь определяют два показателя: частота работы и тайминги. Какой из них окажет большее влияние на производительность ПК, следует выяснять индивидуально, однако для разгона подсистемы памяти нужно использовать оба пути. На что же способны ваши модули? С достаточно высокой долей вероятности поведение плашек можно спрогнозировать, определив названия используемых в них чипов. Наиболее удачные оверклокерские микросхемы стандарта DDR - Samsung TCCD, UCCC, Winbond BH-5, CH-5; DDR2 - Micron D9xxx; DDR3 - Micron D9GTR. Впрочем, итоговые результаты будут зависеть и от типа РСВ, системы, в которой установлены модули, умения владельца разгонять память и просто от удачи при выборе экземпляров.

Пожалуй, первый шаг, который делают новички, - повышение рабочей частоты ОЗУ. Она всегда привязана к FSB процессора и выставляется с помощью так называемых делителей в BIOS платы. Последние могут выражаться в дробном виде (1:1, 1:1,5), в процентном выражении (50%, 75%, 120%), в режимах работы (DDR-333, DDR2-667). При разгоне процессора путем увеличения FSB автоматически возрастает частота работы памяти. К примеру, если мы использовали повышающий делитель 1:1,5, то при изменении частоты шины с 333 до 400 МГц (типично для форсирования Core 2 Duo) частота памяти поднимется с 500 МГц (333×1,5) до 600 МГц (400×1,5). Поэтому, форсируя ПК, следите, не является ли камнем преткновения предел стабильной работы оперативной памяти.

Следующий шаг - подбор основных, а затем дополнительных таймингов. Их можно выставлять в BIOS материнской платы или же изменять специализированными утилитами на лету в ОС. Пожалуй, самая универсальная программа - MemSet, однако владельцам систем на базе процессоров AMD Athlon 64 (K8) очень пригодится A64Tweaker. Прирост производительности можно получить лишь путем понижения задержек: в первую очередь CAS Latency (CL), а затем RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Active to Precharge (tRAS). Именно их в сокращенном виде CL4-5-4-12 указывают изготовители модулей памяти на стикерах продуктов. Уже после настройки основных таймингов можно переходить к понижению дополнительных.

Компоновка модулей памяти

Модули стандартов: a) DDR2; b) DDR; c) SD-RAM. Чипы (микросхемы) памяти. Комбинация «чипы + РСВ» определяет объем, количество банков, тип модулей (с коррекцией ошибок или без). SPD (Serial Presence Detect) - микросхема энергонезависимой памяти, в которую записаны базовые настройки любого модуля. Во время старта системы BIOS материнской платы считывает информацию, отображенную в SPD, и выставляет соответствующие тайминги и частоту работы ОЗУ. «Ключ» — специальная прорезь платы, по которой можно определить тип модуля. Механически препятствует неверной установке плашек в слоты, предназначенные для оперативной памяти. smd-компоненты модулей (резисторы, конденсаторы). Обеспечивают электрическую развязку сигнальных цепей и управление питанием чипов. На стикерах производители обязательно указывают стандарт памяти, штатную частоту работы и базовые тайминги. РСВ - печатная плата. На ней распаиваются остальные компоненты модуля. От качества РСВ зачастую зависит результат разгона: на разных платах одинаковые чипы могут вести себя по-разному.

На результаты разгона оперативной памяти значительное влияние оказывает увеличение напряжения питания плашек. Безопасный для длительной эксплуатации предел зачастую превышает заявленные производителями значения на 10-20%, однако в каждом случае подбирается индивидуально с учетом специфики чипов. Для наиболее распространенной DDR2 рабочее напряжение зачастую равно 1,8 В. Его без особого риска можно поднять до 2-2,1 В при условии, что это влечет за собой улучшение результатов разгона. Впрочем, для оверклокерских модулей, использующих чипы Micron D9, производители заявляют штатное напряжение питания на уровне 2,3-2,4 В. Превышать эти значения рекомендуется только для кратковременных бенчинг-сессий, когда важен каждый дополнительный мегагерц частоты. Отметим, что при длительной эксплуатации памяти при напряжениях питания, отличающихся от безопасных для используемых чипов значений, возможна так называемая деградация модулей ОЗУ. Под этим термином понимают снижение разгонного потенциала модулей со временем (вплоть до неспособности работать в штатных режимах) и полного выхода плашек из строя. На деградационные процессы особо не влияет качество охлаждения модулей - даже холодные чипы могут быть им подвержены. Конечно, есть и примеры длительного успешного использования ОЗУ при высоких напряжениях, но помните: все операции при форсировании системы вы проводите на свой страх и риск. Не переусердствуйте.

Прирост производительности современных ПК можно получить, используя преимущества двухканального режима (Dual Channel). Это достигается за счет увеличения ширины канала обмена данными и роста теоретической пропускной способности подсистемы памяти. Такой вариант не требует специальных знаний, навыков и тонкой настройки режимов работы ОЗУ. Для активации Dual Channel достаточно иметь два или четыре модуля одинакового объема (при этом необязательно использовать полностью идентичные плашки). Двухканальный режим включается автоматически после установки ОЗУ в соответствующие слоты материнской платы.

Все описанные манипуляции приводят к увеличению быстродействия подсистемы памяти, однако заметить прирост невооруженным глазом зачастую сложно. При хорошей настройке и ощутимом повышении частоты работы модулей можно рассчитывать на прибавку производительности порядка 10-15%. Среднестатистические показатели более низкие. Стоит ли овчинка выделки и нужно ли тратить время на игры с настройками? Если хотите детально изучить повадки ПК - почему бы и нет?

ЕРР и XMP - разгон ОЗУ для ленивых

Далеко не все пользователи изучают особенности настройки ПК на максимальное быстродействие. Именно для новичков оверклокинга ведущие компании предполагают простые способы повышения производительности компьютера.

В отношении ОЗУ все началось с технологии Enhanced Performance Profiles (EPP), представленной NVIDIA и Corsair. Материнские платы на базе nForce 680i SLI первыми предоставили максимальную функциональность в плане настройки подсистемы памяти. Суть ЕРР довольно проста: производители ОЗУ подбирают гарантированные нестандартные скоростные режимы функционирования собственных продуктов, а разработчики системных плат предоставляют возможность их активировать через BIOS. EPP - расширенный перечень настроек модулей, дополняющий базовый набор. Существует две версии ЕРР - сокращенная и полная (два и одиннадцать резервных пунктов соответственно).

Параметр	Возможные значения для ЕРР	Поддерживается
		JEDEC SPD	Сокращенный профиль ЕРР	Полный профиль ЕРР
CAS Latency	2, 3, 4, 5, 6	Да	Да	Да
Minimum Cycle time at Supported CAS	JEDEC + 1,875 нс (DDR2-1066)	Да	Да	Да
Minimum RAS to CAS Delay (tRCD)	JEDEC*	Да	Да	Да
Minimum Row Precharge Time (tRP)	JEDEC*	Да	Да	Да
Minimum Active to Precharge Time (tRAS)	JEDEC*	Да	Да	Да
Write Recovery Time (tWR)	JEDEC*	Да	Да	Да
Minimum Active to Active/Refresh Time (tRC)	JEDEC*	Да	Да	Да
Voltage Level	1,8-2,5 В	-	Да	Да
Address Command Rate	1Т, 2Т	-	Да	Да
Address Drive Strenght	1.0х, 1.25х, 1.5х, 2.0х	-	-	Да
Chip Select Drive Strenght	1.0х, 1.25х, 1.5х, 2.0х	-	-	Да
Clock Drive Strenght	0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х	-	-	Да
Data Drive Strenght	0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х	-	-	Да
DQS Drive Strenght	0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х	-	-	Да
Address/ Command Fine Delay	0, 1/64, 2/64, 3/64 MEMCLK	-	-	Да
Address/ Command Setup Time	1/2, 1 MEMCLK	-	-	Да
Chip Select Delay	0, 1/64, 2/64, 3/64 MEMCLK	-	-	Да
Chip Select Setup Time	1/2, 1 MEMCLK	-	-	Да
* Диапазон значений соответствует требованиям, определенным JEDEC для модулей DDR2
Расширенные профили ЕРР позволяют автоматически управлять ощутимо большим количеством задержек модулей стандарта DDR2, чем базовый набор, сертифицированный JEDEC.

Дальнейшее развитие данной темы - концепция Xtreme Memory Profiles (ХМР), представленная компанией Intel. По своей сути данное новшество не отличается от ЕРР: расширенный набор настроек для ОЗУ, гарантированные производителями скоростные режимы записаны в SPD планок и при необходимости активируются в BIOS платы. Поскольку Xtreme Memory Profiles и Enhanced Performance Profiles предоставлены разными разработчиками, модули сертифицируются под их собственные наборы системной логики (на чипсетах NVIDIA или Intel). XMP, как более поздний стандарт, относится только к DDR3.

Безусловно, несложные в активации резервов ОЗУ технологии EPP и XMP пригодятся новичкам. Однако позволят ли производители модулей просто так выжать максимум из своих продуктов? Хотите еще больше? Тогда нам по пути - будем глубже вникать в суть повышения быстродействия подсистемы памяти.

Итоги

В небольшом материале сложно раскрыть все аспекты работы модулей, принципы функционирования динамической памяти вообще, показать, насколько повлияет изменение одной из настроек ОЗУ на общую производительность системы. Однако надеемся, что начало положено: тем, кто заинтересовался теоретическими вопросами, настоятельно рекомендуем изучить материалы JEDEC. Они доступны каждому желающему. На практике же опыт традиционно приходит со временем. Одна из главных целей материала - объяснение новичкам основ разгона подсистемы памяти.

Тонкая настройка работы модулей - дело довольно хлопотное, и если вам не нужна максимальная производительность, если каждый балл в тестовом приложении не решает судьбу рекорда, можно ограничиться привязкой к частоте и основным таймингам. Существенное влияние на быстродействие оказывает параметр CAS Latency (CL). Выделим также RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Cycle Time (или Active to Precharge) (tRAS) - это базовый набор, основные тайминги, всегда указываемые производителями. Обратите внимание и на опцию Command Rate (наиболее актуально для владельцев современных плат на чипсетах NVIDIA). Впрочем, не стоит забывать о балансе характеристик. Системы, использующие неодинаковые контроллеры памяти, по-разному могут реагировать на изменения параметров. Разгоняя ОЗУ, следует придерживаться общей схемы: максимальный разгон процессора при пониженной частоте модулей → предельный разгон памяти по частоте с наихудшими задержками (изменением делителей) → снижение таймингов при сохранении достигнутых частотных показателей.

Дальше - тестирование производительности (не ограничивайтесь лишь синтетическими приложениями!), затем новая процедура разгона модулей. Установите значения основных таймингов меньше на порядок (скажем, 4-4-4-12 вместо 5-5-5-15), с помощью делителей подберите максимальную частоту в таких условиях и протестируйте ПК заново. Таким образом возможно определить, что больше всего «по душе» вашему компьютеру - высокая частота работы или низкие задержки модулей. После чего переходите к тонкой настройке подсистемы памяти, поиску минимальных значений для субтаймингов, доступных для корректировки. Желаем удачи в этом нелегком деле!

Оперативная память - компонент компьютера, который достаточно сильно влияет на его общую производительность. Разгон и тонкая настройка оперативной памяти могут увеличить общую производительность компьютера от 4% до 12%. В данной статье мы расскажем, как правильно разогнать оперативную память, не рискуя при этом “что-то спалить ”.

Прежде чем рассказывать о методах разгона памяти следует заметить, что для повышения производительности подсистемы памяти не обязательно вообще разгонять её, достаточно просто активировать режим Dual Channel (режим двухканальной передачи данных) или трёхканалного режима. А работать он начнёт автоматически, после установки двух(трёх, для трёхканального режима) и более планок памяти в соответствующие разъёмы материнской платы (одного цвета). Суть данной технологии заключается в том, что увеличивается ширина шины данных, и теоретически скорость передачи данных возрастает в 2 (3) раза (это в теории).

Рассмотрим основы разгона оперативной памяти

На скорость работы ОЗУ влияет только два фактора: частота работы памяти и её тайминги . Но, на возможность максимально улучшить эти параметры может повлиять напряжение памяти . То, какой фактор повлияет на скорость работы памяти нужно устанавливать опытным путём, у разных чипов, эффект может быть разным.

Первым шагом для разгона будет повышение рабочей частоты модулей ОЗУ . Рабочая частота памяти всегда зависит от FSB шины процессора. Для повышения частоты работы памяти нужно увеличить делитель в BIOS материнской платы, которые могут выражаться в дробном виде (например: 1:1.5), в процентах (50%, 75%, 130%) или в режиме работы (DDR-333, DDR2-667). Повышая делитель, вы повышаете частоту памяти, но не забывайте, что частота памяти прямо зависит от частоты FSB, так что, если вы разгоняете процессор путём повышения FSB шины, то повышать делитель не стоит, так как при увеличении частоты FSB шины, автоматически увеличивается частота памяти.

Ну, с частотой мы закончили, теперь приступим с подбору таймингов памяти . Увеличить производительность памяти можно только за счёт уменьшения значений таймингов, но не забывайте, что, чем меньше задержки (тайминги) - тем меньше стабильность памяти. Уменьшить значения таймингов можно, как в системном BIOS, так и при помощи специальных программ в Windows. Понижаем значения основных таймингов: CAS Latency (CL), RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Active to Precharge (tRAS).

Повышаем напряжение. Как было сказано выше, напряжение памяти сильно влияет на результат разгона, но не стоит переусердствовать, так - как это может привести к выходу из строя оперативной памяти. Повышать напряжение стоит не более 10% - 20% от номинала. Напряжение можно так же выставить в BIOS материнской платы. Длительное завышение напряжения памяти может так же привести к её неисправности или снижению разгоночного потенциала.

Если, во время выполнения данных операций вы столкнулись с тем, что после перезагрузки, компьютер отказывается стартовать , и возможно издаёт противный писк, скорее всего вы превысили допустимые рабочие параметры. Для восстановления работоспособности компьютера, вам необходимо сбросить настройки BIOS (обнулить CMOS память).

Удачи в экспериментах!

Не забываем оставлять

Владельцы ноутбуков рано или поздно приходят к решению разогнать оперативную память своего устройства. Гаджет перестает справляться с некоторыми задачами, а разгон оперативки может заметно улучшить работу портативного компьютера.

Замена планки ОЗУ

Самый простой способ - замена модуля оперативной памяти. Чтобы добавить новый модуль, вам потребуется:

1. Отключить зарядное устройство.
2. Извлечь батарею.
3. Снять нижнюю крышку с отсеком для слотов ОЗУ и жесткого диска.
4. Установить модуль оперативки с лучшими параметрами.

Для того, чтобы расширить память таким способом, нужно знать тип модулей ОЗУ (DDR3, DDR4 и т. д.). Специальные программы (CPU-Z) дают возможность узнать о типе памяти без разборки ноутбука.

Разгон оперативки самостоятельно

Нарастить мощность ОЗУ ноутбука несколько сложнее. В стационарном ПК 80% времени уходит на оптимальный подбор параметров в BIOS, а в мобильном ПК увеличить параметры оперативки изменениями данных в BIOS не получится. В ноутбуках просто нет расширенных настроек BIOS.

Перед принятием решения добавить оперативке производительности, следует помнить, что чрезмерные нагрузки на некоторые узлы снизят ресурс их работы, а также быстрее выведут детали из строя. Поэтому действовать придется на свой страх и риск. Быстродействие ноутбука зависит от параметров ОЗУ, ЦПУ и видеокарты. Все эти параметры можно изменить в сторону улучшения работоспособности.

В некоторых моделях портативных ПК есть возможность регулировки частоты системной шины - связующего звена между оперативкой и процессором. Производители техники часто блокируют в BIOS возможность изменения частоты системной шины, поэтому корректировать параметры можно только с помощью внешних приложений. Например, программа SetFSB позволяет регулировать частоту. При этом важно следить за состоянием системы, так как температура устройства сильно возрастает.

Впечатляющие результаты дает разгон оперативки, если шины процессора и оперативной памяти разделены. В таком случае можно увеличить частоту оперативки почти на 30%. Утилиты типа RMClock или VCore дают возможность увеличить питание процессора. Изменяя показатели частот и наблюдая за температурой, можно добиться впечатляющих результатов.

В случае успешного разгона производительность ноутбука возрастает в разы. Но и риски самостоятельных операций достаточно высокие. В случае неудачного разгона ремонт обойдется гораздо дороже, чем ремонт устройства до разгона.

Существуют не только методы разгона оперативной памяти при помощи специальных программ и утилит. Опытные компьютерщики с помощью паяльника и мода тактового генератора «обманывали» систему, заставляя чипсет «думать», что он работает на одной частоте, в то время как тактовый генератор работал на другой.

Бесплатно добиться от системы дополнительного быстродействия всегда приятно — именно поэтому люди занимаются разгоном. Однако в первую очередь оверклокеры разгоняют процессор и видеокарту, поскольку опыты над этими компонентами дают наибольший прирост скорости. Память обычно оставляют на десерт или не трогают вовсе. Одних останавливает тот факт, что разгонять оперативку сложно, других - что процесс этот дарует совсем незначительный бонус к производительности. Случается даже, что разгон памяти виден в бенчмарках и некоторых приложениях и абсолютно не виден в играх. Но для тех, кто в любом случае хочет выжать из своей системы все соки, «Игромания» публикует ликбез по разгону памяти.

Многогранная

Как и в случае с другими компонентами системы, процесс разгона оперативной памяти заключается в изменении рабочих параметров устройства. Добиться максимальной производительности от ОЗУ помогают шаманские пляски с тремя основными характеристиками - частотой, напряжением и задержками (таймингами).

Что можно сказать о частоте? Чем она больше - тем лучше! Фактически ее значение показывает, сколько полезных тактов могут совершить модули памяти за секунду реального времени. Однако и здесь есть свои нюансы. Дело в том, что для памяти типа DDR, которая используется в современных компьютерах, существует две разных частоты - реальная и эффективная, причем вторая ровно в два раза выше первой. Производители модулей всегда указывают эффективную частоту своих творений, в то время как в различных диагностических утилитах, а также в BIOS материнских плат нередко отображается именно реальная частота.

В чем подвох? Название DDR - это сокращение фразы DDR SDRAM, которая расшифровывается как Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory, то есть синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Ключевые слова здесь - удвоенная скорость. В отличие от простой SDRAM (предшественницы DDR), рассматриваемая память взаимодействует с шиной данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала, то есть одному такту шины соответствуют два такта микросхемы памяти. Соответственно, одни разработчики программного обеспечения предпочитают считать именно такты шины (реальную частоту), в то время как другие указывают частоту работы самих чипов (эффективную частоту). Так что если во время разгона вы вдруг обнаружите, что частота памяти ровно в два раза ниже, чем должна быть, то не удивляйтесь, это нормально.

Рабочее напряжение модулей оказывает существенное влияние на их стабильность. В соответствии со стандартами, для плашек DDR2 штатным является напряжение 1,8 В, а для DDR3 - 1,5 В. Медленные модули, как правило, придерживаются этих значений, а вот оверклокерские наборы почти всегда работают с повышенными вольтажами: разогнанным чипам не хватает питания, и его приходится увеличивать. Естественно, это ведет к более интенсивному тепловыделению, но если на микросхемах памяти есть радиаторы, то небольшое увеличение напряжения не создает особых проблем. Тем не менее определенные границы лучше не пересекать, иначе модули могут выйти из строя. Для DDR2 разумным максимумом можно считать напряжение в 2,2 В, а для DDR3 - 1,65 В.

Третий ключевой параметр оперативной памяти - задержки (тайминги), и это, определенно, тема для отдельной главы.

Без спешки

Итак, задержки - или тайминги. Прежде чем объяснить, что это такое, не помешает ознакомиться с архитектурой памяти DDR.

Для хранения простейшей единицы информации (бита) в чипах DDR используется ячейка, представляющая собой сочетание транзистора и конденсатора. Подобных ячеек в каждой микросхеме памяти огромное множество. Они выстраиваются в строки и столбцы, которые в конечном счете образуют массивы, называемые банками. Поскольку чипы DDR относятся к динамическому типу памяти, их содержимое необходимо периодически обновлять (подзаряжать), иначе записанная в них информация будет утеряна.

Взаимодействием с ОЗУ занимается так называемый контроллер памяти. Получив от процессора команду на чтение или запись бита данных с логическим адресом, он определяет, в каком банке/строке/столбце располагается нужная ячейка и что с ней следует делать. Проблема заключается в том, что ячейка не может быть обработана мгновенно - должно пройти определенное время (читай: число тактов памяти), прежде чем нужная операция будет выполнена. Задержки, возникающие на определенных этапах чтения/записи битов, и именуются таймингами.

Существует большое количество таймингов, однако ключевое влияние на производительность памяти оказывают лишь некоторые из них. Конкретно - CAS Latency, RAS-to-CAS Delay, Row Precharge Time и Row Active Time. Именно таков их порядок по степени значимости, и именно в такой последовательности они располагаются в BIOS материнских плат и в описаниях к модулям памяти. Например, в технических характеристиках плашек Kingmax DDR3 2400 MHz Nano Gaming RAM есть строка «10-11-10-30» - так вот, это и есть тайминги. Первая цифра показывает значение CAS Latency, вторая - RAS-to-CAS Delay и так далее.

Чтобы понять, за что отвечают те или иные задержки, следует разобраться, как происходит считывание данных из ячеек. Для начала чип памяти должен подготовить к обработке нужную строку и столбец в банке. Для этого им отсылается соответствующая команда, после чего происходит процесс активации строки, занимающий определенное время. Количество тактов, необходимое для «пробуждения» строки, как раз и зовется RAS-to-CAS Delay.

Далее контроллер отправляет нужной последовательности ячеек (ее длина зависит от типа памяти и дополнительных настроек) команду на считывание, однако на шину данных первая порция информации поступает не сразу, а спустя несколько тактов - эта задержка именуется CAS Latency и считается ключевой для модулей памяти. После того как все необходимые данные считаны, контроллером отдается команда на закрытие и подзарядку строки.

А где же два других тайминга? Первый, Row Precharge Time, вступает в силу сразу после закрытия строки. Дело в том, что последующий доступ к этой строке становится возможным не сразу, а лишь после подзарядки, которая отнимает определенное число тактов - за этот интервал и отвечает Row Precharge Time. Ну а тайминг Row Active Time показывает период активности строки, то есть количество тактов, прошедших от момента ее активации до момента поступления команды подзарядки. Фактически эта задержка зависит от параметров RAS-to-CAS Delay, CAS Latency и длины считываемой строки, однако обычно ее значение подбирают простым сложением трех других таймингов. Это не совсем корректно, зато позволяет гарантированно избежать проблем со стабильностью работы при минимальных потерях производительности.

Запись данных в ячейки памяти осуществляется схожим образом, так что рассматривать этот процесс подробно мы не станем. Также не будем акцентировать внимание на дополнительных настройках памяти вроде длины строки и вторичных таймингов - слишком уж незначительно их влияние на общее быстродействие системы. Эти параметры будут интересны оверклокерам, идущим на рекорд, а вовсе не простым пользователям.

Многие начинающие сборщики нередко допускают следующую ошибку: стремясь вооружить системник по максимуму, они устанавливают в материнскую плату модули DDR3 с запредельной рабочей частотой (скажем, 2400 МГц) и остаются в счастливой уверенности, что память в их компьютере уже работает на заявленной скорости. Однако без дополнительных манипуляций со стороны пользователя подобные плашки будут работать в том же режиме, что и их дешевые собратья. Объясняется это тем, что базовые настройки памяти материнская плата черпает из специального чипа SPD (Serial Presence Detect), коим в обязательном порядке оснащается каждый DDR-модуль. Прописанные в SPD частоты и тайминги, как правило, далеки от максимально возможных - это сделано для того, чтобы модули могли стартовать даже в очень слабой системе. Соответственно, такую память приходится дополнительно разгонять.

К счастью, иногда этот процесс можно существенно облегчить. Так, компания Intel уже не первый год продвигает особое расширение для чипа SPD, известное как XMP (Extreme Memory Profiles). Оно записывает в модули памяти информацию о дополнительных настройках системы, которая может быть считана материнскими платами с поддержкой этой технологии. Если материнке удастся подхватить нужный профиль XMP (он выбирается через BIOS), то она автоматически выставит заявленную в нем частоту памяти, подкорректировав ради этого другие параметры системы, - произойдет автоматический разгон. Правда, при этом крайне желательно, чтобы память была сертифицирована для той платформы, на которую она установлена, иначе профиль либо не сработает, либо сработает, но не так, как надо. Кроме того, никогда не лишне перепроверить выставленные автоматикой значения, поскольку некоторые производители памяти умудряются прописывать в профиле XMP такие настройки, от которых система может скоропостижно скончаться. В целом же технология эта очень полезна, но дружит она только с процессорами Intel.

Стоит отметить, что еще до появления XMP компании NVIDIA и Corsair продвигали аналогичную разработку, известную как EPP (Enhanced Performance Profiles), но она не прижилась.

Соковыжималка

С тем, как работает оперативная память, мы разобрались. Теперь осталось понять, как добиться от нее большей производительности, - и вот с этим дело не просто. Существует два разных способа разгона памяти. Первый подразумевает повышение частоты модулей, второй - понижение таймингов. Другими словами: можно либо увеличивать количество тактов в секунду, либо делать сами такты более продуктивными. В идеале, конечно, следует использовать оба метода одновременно, но улучшение одного параметра всегда ведет к ухудшению другого, и подобрать оптимальный баланс нелегко. Нельзя сказать заранее, что окажется полезнее вашей системе - высокочастотная память с ослабленными таймингами или модули, функционирующие на более низкой частоте, но обладающие минимальными задержками.

Если вы готовы драться за каждый лишний балл в каком-нибудь PCMark, то мы рекомендуем перепробовать несколько различных соотношений частоты и таймингов и выбрать тот, что дает наилучший результат конкретно для вашей системы. В противном случае будет разумнее сначала увеличить тайминги, потом найти частотный потолок для используемых модулей памяти, а затем попытаться вновь снизить задержки - как показывает практика, такой подход чаще оказывается выигрышным. При этом на протяжении всего пути не стоит сильно отклоняться от базового соотношения таймингов: первые три задержки должны быть примерно одинаковыми, а для четвертой желательно выставлять значение равное сумме этих таймингов или чуть ниже.

При разгоне памяти нельзя обойтись без помощи тестов, измеряющих производительность системы, - именно они позволят оценить, насколько велик прирост быстродействия вследствие ваших манипуляций и есть ли он вообще. Может показаться парадоксальным, но порою понижение таймингов или увеличение частоты оперативки может негативно сказаться на скорости работы компьютера - случаются такие сюрпризы нечасто, но отмахиваться от них не стоит. В общем, без бенчмарков никуда. Какое ПО лучше всего использовать? Мы советуем джентльменский набор из PCMark , Everest и WinRAR (встроенный тест), но вообще список диагностических утилит для памяти обширен - выбирайте то, что больше по душе. Кстати говоря, бенчмарки полезны еще и потому, что позволяют проверить память на стабильность работы. А после того, как разгон будет считаться завершенным, не помешает дополнительно помучить компьютер стресс-тестами вроде OCCT и S&M , дабы окончательно убедиться в стабильности системы.

Проводя эксперименты, не стоит забывать о повышении напряжения, причем речь идет не только о самих модулях, но и о контроллере памяти - нередко именно он мешает раскрыть весь потенциал разгоняемых плашек. Ранее на платформах Intel этот важный элемент системы располагался в северном мосту чипсета, однако с недавних пор он окончательно переселился в центральные процессоры, поэтому на современных платформах увеличение напряжения на контроллере негативно сказывается на температуре ЦП. Таким образом, иногда для эффективного разгона памяти приходится дополнительно усиливать охлаждение процессора, а не самих модулей. Предостережем: не повышайте напряжение на контроллере более чем на четверть, это может привести к печальным последствиям.

Наконец, стоит заранее определиться, каким образом будет осуществляться разгон. Можно либо воспользоваться специальной утилитой, либо изменять необходимые параметры непосредственно в BIOS. Мы настоятельно рекомендуем взять на вооружение второй вариант, поскольку ни одна программа не в состоянии раскрыть все возможности, предоставляемые системной платой. Соответственно, перед проведением опытов не помешает внимательно изучить инструкцию к материнке - это позволит понять, что именно скрывается под тем или иным пунктом в BIOS. Так уж сложилось, что каждый производитель стремится ввести в обиход свои собственные обозначения, и даже такие, казалось бы, общепринятые термины, как названия таймингов, могут варьироваться от платы к плате.

И еще: не стоит сразу впадать в панику, если на определенном этапе разгона система вдруг напрочь откажется стартовать. Как правило, это означает лишь, что материнская плата не может автоматически сбросить неприемлемые для нее настройки BIOS. Встречается данная болезнь не так часто и лечится она банальным выниманием батарейки из платы. А вот если это не поможет - тогда уже можно и паниковать.

Индивидуальный подход

Когда дело доходит непосредственно до ковыряния в многочисленных меню, становится понятно, что изменять тайминги куда проще, чем частоту памяти. Это в видеокартах все элементарно: потянул в специальной утилите ползунок вправо - получил нужную прибавку к частоте. С полноценными DDR-модулями все намного сложнее.

Основные проблемы связаны с тем, что скорость работы оперативки зависит сразу от двух параметров - опорной частоты (FSB, BCLK) и множителя. Перемножая эти значения, мы получаем итоговую частоту ОЗУ. Однако простое увеличение первого параметра почти наверняка приведет к непредвиденным результатам, ведь это неизменно скажется на производительности других компонентов системы. Можно, конечно, не трогать опорную частоту, но добиться впечатляющего разгона с помощью одних лишь модификаций множителя в большинстве случаев невозможно.

На разных платформах изменение опорной частоты приводит к разным последствиям. Кроме того, нередко ради повышения скорости работы памяти требуется изменить рабочие параметры других исполнительных блоков системы. Словом, к каждой платформе нужен свой подход, так что мы постараемся разобрать основные нюансы для каждого случая. Рассматривать все возможные конфигурации мы, разумеется, не станем - сосредоточимся на десктопных платформах, появившихся в последние несколько лет. У всех них контроллер памяти располагается в процессоре, так что можно сказать, что особенности разгона зависят от того, какой именно кусок кремния является сердцем системы. Итак, хит-парад самых актуальных на сегодняшний день процессоров...

Intel Sandy Bridge

Новейшие процессоры Intel , представленные двухтысячной линейкой Core i3/i5/i7 , придутся по душе оверклокерам-новичкам. Матерые адепты разгона считают, что с приходом Sandy Bridge разгонять систему стало слишком скучно. Все дело в том, что в этих процессорах опорная частота (у Intel она зовется BCLK), от которой пляшут все основные исполнительные блоки, практически не поддается изменению - стоит отклонить ее на какие-то 6-7 МГц, и система начинает вести себя неадекватно. Соответственно, старые добрые приемы в случае с Sandy Bridge не работают, поэтому единственный способ разогнать оперативку (как, впрочем, и процессор) - увеличивать соответствующий множитель. Благо контроллер памяти, встроенный в новые процессоры, вышел довольно шустрым, и частота в 2133 МГц ему покоряется без проблем. Поскольку трогать BCLK настоятельно не рекомендуется, итоговая опорная частота памяти в любом случае должна быть кратна 266 МГц, то есть не любой набор DDR3 удастся завести именно на той частоте, что заявлена его производителем. Скажем, модули DDR3-2000, встретившись с новыми процессорами Intel, будут работать как DDR3-1866.

Заметим, что одного лишь процессора Sandy Bridge для эффективного разгона ОЗУ недостаточно - нужна еще и подходящая материнская плата. Все дело в том, что Intel искусственно ограничила оверклокерские возможности не только процессоров (множитель можно увеличить лишь у моделей с индексом «К»), но и чипсетов. Так, младшие наборы логики память разгонять не умеют, поэтому в системных платах на их основе даже самые скоростные модули будут работать как DDR3-1333. А вот чипсет Intel P67 Express , позиционирующийся как решение для энтузиастов, поддерживает режимы вплоть до DDR3-2133, поэтому к выбору материнской платы под Sandy Bridge стоит подходить со всей основательностью.

Как определить, подходят ваши конкретные модули для разгона или нет? Если плашки изначально не относятся к оверклокерскому классу (то есть их частота не превышает рекомендованных создателями процессоров значений), то отталкиваться стоит прежде всего от их производителя, рабочего напряжения и системы охлаждения.

Про производителя, думаем, объяснять не стоит: именитые компании используют проверенные чипы, возможности которых, как правило, не до конца исчерпаны, а вот от китайского нонейма ожидать выдающегося разгонного потенциала не стоит. Рабочее напряжение также позволяет определить, насколько микросхемы близки к пределу своих возможностей: чем меньше вольт подается на чипы по умолчанию, тем сильнее можно будет увеличить напряжение самостоятельно и тем выше будет частотный потенциал. Ну а качественные радиаторы позволяют эффективнее отводить тепло от чипов, что позволяет выжать из плашек чуть больше производительности.

Intel Bloomfield

Любимцы энтузиастов - процессоры Core i7 девятисотой серии - обладают феноменальной вычислительной мощностью, однако с их помощью очень сложно заставить память работать на запредельных частотах. Отчасти это компенсируется тем, что контроллер памяти у Bloomfield может работать в трехканальном режиме, недоступном другим рассматриваемым платформам.

При работе с Core i7-9хх возможности оверклокерских модулей, как правило, упираются в недостаточную производительность процессорного блока Uncore. Последний состоит из контроллера памяти и L3-кэша, а скорость его работы напрямую зависит от BCLK. При этом существует правило, что частота этого блока должна быть как минимум в два раза выше частоты работы памяти, то есть, например, для нормального функционирования плашек в режиме DDR3-1800 придется завести Uncore на 3600 МГц. Проблема заключается в том, что этот самый блок получился большим и горячим. Работу в нештатном режиме он не любит, и подаваемое на него напряжение необходимо существенно увеличивать (но не выставлять выше 1,4 В!). В итоге, даже если не разгонять вычислительные блоки процессора, Uncore с частотой 4000 МГц разогреет кристалл так, что не всякий кулер справится. Поэтому пересечь черту в 2000 МГц для памяти, не применяя серьезное охлаждение, крайне сложно. А поскольку разгонять память, не повышая частоту процессора, не очень разумно, можно констатировать, что среднестатистическому компьютеру на базе Bloomfield скоростная память вообще не нужна - какой-нибудь DDR3-1600 хватит с лихвой.

Любопытно, что модели семейства Core i7-9хх предоставляют в распоряжение пользователя внушительный набор множителей для памяти - они покрывают диапазон от 6х до 16х с шагом 2х. Для Uncore множитель так и вовсе можно выкручивать до 42х. Ну а поскольку штатная частота BCLK у Bloomfield равна 133 МГц, к максимально возможным для памяти значениям частоты можно подобраться, даже не трогая тактовый генератор. Впрочем, играясь и с BCLK, и с множителем, опытный оверклокер в любом случае сможет выжать из плашек еще немного бонусных мегагерц.

Intel Lynnfield

Процессоры линеек Core i7-8хх и Core i5-7хх , построенные на архитектуре Lynnfield, - это, пожалуй, лучший выбор для тех, кто хочет поставить рекорд частоты модулей памяти. Чтобы убедиться в этом, достаточно взглянуть, какие процессоры используются нынешними рекордсменами.

Секрет успеха Lynnfield в том, что для стабильной работы оперативки частота Uncore у этих кристаллов необязательно должна быть в два раза больше частоты памяти. Intel решила вообще заблокировать множитель ненавистного оверклокерами блока: для восьмисотых моделей Core i7 он зафиксирован на отметке 18х, а для семисотых - на 16х. Максимальные множители памяти для этих процессоров равны 12х и 10х соответственно. Таким образом, Uncore больше не выступает в роли бутылочного горлышка при разгоне памяти, поэтому «набор высоты» проходит легко и непринужденно.

Процессор из линейки Core i7-8хх без труда сможет выжать максимум из любого набора памяти: до 1600 МГц (133х12) можно добраться, не трогая BCLK, ну а дальше в ход идут эксперименты с опорной частотой. У семисотых Core i7 возможности чуть скромнее, но и их рядовому пользователю должно хватить с лихвой. Конечно, при значительном увеличении BCLK блок Uncore хорошенько разогреется (его рабочее напряжение придется усилить), однако к тому времени модули уже будут работать на пределе возможностей. Вообще же в таких случаях крайне желательна мощная система охлаждения процессора.

Intel Clarkdale

Бюджетные процессоры Intel со встроенной графикой, представленные семействами Core i5-6хх , Core i3 и Pentium G , плохо дружат с памятью. Увы, в целях экономии в этих моделях контроллер памяти вместе с графическим ядром вынесен на отдельный кристалл, который соединен с вычислительными ядрами шиной QPI. Использование шины плохо сказывается на производительности контроллера, так что от скоростной памяти в системе с Clarkdale особого толка не будет.

Разгон памяти, работающей в тандеме с обозначенными процессорами, осуществляется самым обычным образом: увеличиваем множитель, подкручиваем частоту BCLK (по умолчанию она равна 133 МГц). Никаких подводных камней нет, разве что при сильном разгоне придется понизить множитель QPI и увеличить напряжение, подаваемое на L3-кэш (пресловутый Uncore). Старшие Clarkdale, как правило, могут завести оверклокерскую память на частотах около 2000 МГц, что не так уж и плохо. Другое дело, что прирост быстродействия системы от увеличения скорости работы плашек будет совсем уж мизерным. Что касается максимального множителя для памяти, то он зависит от конкретной модели процессора: для «пентиумов» он равен 8х, а у Core i5-6хх и Core i3 - 10х. Кроме того, существует еще Core i5-655K , созданный специально для разгона, - он поддерживает множитель 16х, но лишь немногие материнские платы знают о его возможностях.

AMD Phenom II/Athlon II

В последние годы каждая новая процессорная архитектура от Intel привносит какие-то новые особенности, связанные с разгоном. С AMD все иначе - алгоритм раскочегаривания этих кристаллов уже давно практически не претерпевает изменений. Вероятно, что вместе с выходом процессоров Llano , оснащенных встроенным графическим ядром, этой стабильности придет конец, ну а пока что мы рассмотрим, каким образом разгоняется память, работающая в тандеме с нынешними решениями AMD - Phenom II и Athlon II .

В качестве опорной частоты для памяти в данном случае выступает частота системной шины (HT Clock по терминологии AMD), которая по умолчанию равна 200 МГц. Изменение этого параметра сказывается на режиме работы процессора, контроллера памяти (этот блок обычно обозначается как CPU NB) и шины HyperTransport Link. По этой причине в поисках частотного потолка вашего ОЗУ следует понизить множители для процессора и HT Link, а вот контроллер памяти, напротив, глушить не стоит. Его частота должна быть по крайней мере в три раза выше, чем реальная частота памяти (и, соответственно, в полтора раза выше, чем частота эффективная), иначе стабильность системы не гарантируется. Вместе с тем чем быстрее работает контроллер, то тем больше шансов выдавить из модулей памяти лишние мегагерцы или понизить их тайминги. Можно даже слегка задрать напряжение CPU NB, чтобы достичь лучшего результата, но сильно увлекаться не стоит.

Следует отметить, что на платформах AMD память разгоняется хуже, чем на платформах Intel и, как правило, отметку в 2000 МГц оверклокерам покорить не удается. Таким образом, покупать для такой системы сверхбыстрые планки DDR3 нет особого смысла. Учтите, что режимы работы до DDR3-1600 МГц включительно можно активировать изменением множителя, однако при дальнейшем разгоне в любом случае придется мучить тактовый генератор.

* * *

Как видно, изменять опорную частоту при более-менее серьезном разгоне памяти приходится практически всегда (а если бы на свете не существовало Sandy Bridge, это высказывание было бы еще более категоричным). Да, порою серьезных частот можно достичь посредством одних лишь множителей, однако шаг между доступными для активации значениями частоты в этом случае оказывается слишком велик, поэтому для более точного нахождения частотного потолка все равно приходится шаманить с тактовым генератором. Ну а это, как известно, приводит к изменению частоты процессора.

Мораль такова: если уж заниматься разгоном памяти серьезно, то параллельно стоит разгонять и процессор. В самом деле, зачем выжимать все соки из плашек и одновременно пытаться сдерживать рабочую частоту процессора, если даже незначительный разгон ЦП даст куда больший эффект, чем все опыты над памятью? Таким образом, прежде чем браться за разгон памяти, будет неплохо узнать, какие частоты способен покорить ваш процессор. Ну а после придется искать баланс между скоростью работы кристалла и частотой/таймингами оперативки, ведь обычно выставить максимально привлекательные значения обоих компонентов разом не получается.

Сложно? Что ж, никто не мешает вам просто слегка подкрутить тайминги или увеличить множитель памяти, а после наслаждаться свалившимся из ниоткуда быстродействием, не углубляясь в дальнейший разгон компьютера. Не хотите раскрывать весь потенциал системы - не надо. Ну а господам энтузиастам мы желаем удачи в этом нелегком, но интересном деле.

Оперативная память является важным компонентом компьютера или ноутбука, который частично определяет его быстродействие и возможности. Немногие знают о том, что производительность устройств можно существенно повысить, не прибегая к замене основных элементов. Делается это путем «разгона» установленных микросхем, в том числе и ОЗУ. Процесс разгона отличается от повышения мощности процессора или видеопамяти. Мы расскажем вам, как сделать это правильно, не допуская ошибок.

Многие IT-специалисты указывают на то, что производители зачастую устанавливают ограничение на возможность искусственного увеличения производительности . Кроме этого, повышение скорости работы ОЗУ зачастую проводится после разгона установленного процессора. Отдельно обе важные составляющие компьютера разгоняются крайне редко, так как их работа отвечает за основные функции. Что касается видеокарты, то ее подвергают разгону и отдельно - все зависит от того, для обработки каких данных проводится увеличение производительности.

Одной из основных характеристик ОЗУ считают объем, который принято измерять в гигабайтах. Однако на производительность оказывает влияние частота работы, пропускная способность и другие характеристики, которые редко указываются в кратком описании компьютера. Под «разгоном» понимают включение особых режимов работы за счет:

1. Увеличения показателя тактовой частоты . Как правило, этот параметр изменяется при разгоне процесса, что позволяет использовать его всю вычислительную мощность.
2. Изменения количества таймингов, которые возникают при одном цикле . При уменьшении этого показателя обмен электрическими сигналами будет проходить гораздо чаще, за счет чего повышается пропускная способность установленных планок.

Некоторые IT-специалисты выделяют метод повышения производительности, который связан с изменением показателей электрического напряжения в установленной микросхеме.

Оптимальные методы разгона

При изготовлении микросхемы рассматриваемого типа могут использоваться самые разные архитектуры, в большинстве случаев можно только максимально повысить тактовую частоту или пропускную способность - обе сразу не получится. Некоторые выбирают компромиссное сочетание устанавливаемых настроек.

1. При повышении тактовой частоты придется замедлить тайминг, в противном случае компьютер не будет работать стабильно и есть вероятность потери информации.
2. При ускорении тайминга показатель тактовой частоты рекомендуют оставить на заводском уровне.

Кроме этого, после проведения работы по разгону компьютера можно заметить, что он начинает работать медленнее. Это связано с тем, что не каждый процессор и ОЗУ предназначены для разгона. В некоторых случаях с заводскими настройками они работают куда лучше и стабильнее.

Что следует знать о частоте ОЗУ

Разгон оперативной памяти ddr3 или другого типа многие проводят для увеличения тактовой частоты . Ее показатель определяет, сколько операционных тактов производит установленная микросхема в секунду. С увеличением данного значения микросхема начинает работать быстрее, время между действием пользователя и откликом устройства снижается.

Производители ОЗУ типа DDR указывают два типа тактовой частоты:

1. Реальная.
2. Эффективная.

Показатель эффективной, как правило, в два раза больше реальной. Показатель реальной тактовой частоты редко можно встретить в описании оперативной памяти, для ее определения приходится искать подробную спецификацию или использовать программу мониторинга производительности компьютера.

Рабочее напряжение

Все части компьютера работают исключительно под своим напряжением, для некоторых оно может быть переменчивым . Этот момент следует учитывать при рассмотрении процесса разгона. Ранее распространенный тип памяти DDR 2 работает при 1,8 вольта.

На сегодняшний день распространенная память типа DDR 3 при 1,5 вольта. Специалисты утверждают, что эти пороги можно несущественно превысить. Для DDR 2 выставляется значение 2,2 вольта, для DDR 3 показатель составляет 1,65 вольта.

При превышении этих значение микросхема начнет работать неправильно, могут появиться существенные сбои. Кроме этого, IT-специалисты утверждают, что даже самая качественная микросхема от известного производителя может плохо воспринять повышение напряжения. Поэтому если в этом нет особой надобности, то лучше всего оставлять заводские настройки.

Использование тестов

Точного способа разогнать оперативную память ddr3 нет . Это связано с тем, что существует огромное количество планок ОЗУ, каждая может отреагировать по-разному на изменение заводских параметров. Именно поэтому выходом из ситуации становится подбор наиболее подходящих настроек при тестировании каждого изменения. Для этого можно использовать специальные программы, которые существенно упрощают поставленные задачи.

При выборе программ для тестирования работы компьютера рекомендуется уделить внимание следующим:

1. PC Mark.
2. Everest.

Выделить лучшую программу с двух вышеприведенных сложно, так как каждая имеет свои достоинства и недостатки. Почему именно эти две программы при огромном выборе? Ответ довольно прост - они не только делают мониторинг основных показателей при нагрузке или простое устройства, но и имеют функцию отслеживания стабильности работы многих моделей ОЗУ. Подобным образом снижают вероятность того, что проведенные изменения приведут к потере стабильности работы оперативной памяти.

Инструменты изменения показателей

Выставить необходимые значения можно при использовании самых различных инструментов. Выделяют два основных метода:

1. Использование интерфейса БИОСа.
2. Установка и использование сторонней программы.

Многие специалисты в рассматриваемом вопросе рекомендуют воспользоваться первым методом, так как стороннее ПО может работать некорректно , быть несовместимым с конкретными типами ОЗУ. Кроме этого при использовании БИОСа разгон осуществляется на низком уровне взаимодействии с аппаратными компонентами, за счет чего можно достигнуть лучших результатов.

Среди ключевых нюансов отмечают следующие моменты:

1. К изменению показателя частоты работы устройства следует относиться с осторожностью , так как правильная корректировка заключается не только во введении одной цифры. Частота зависит от произведения двух основных значений: FSB и BCLK. Получаемое значение принято считать «опорной частотой». Если будет проводиться изменение только множителя, то увеличить производительность будет невозможно.
2. Принято уделять внимание особенностям процессора при разгоне модулей ОЗУ , так как этот элемент более важен в системе. Часто наблюдается ситуация, что одинаковые значения тайминга и тактовой частоты при различных процессорах дают разный результат. При этом точные рекомендации сложно найти, производители и вовсе не рекомендуют проводить изменение устанавливаемых настроек.
3. Результат проведения работы по разгону зачастую непредсказуемый, но увеличить шансы на успех можно при изучении специализированных форумов, где можно найти пример похожего сочетания процессора и планок памяти.

Процессоры Intel и AMD

Тесты, которые проводятся при разгоне оперативной памяти, указывают на то, что процессоры Intel, построенные на современной архитектуре, плохо поддаются корректировке в отношении параметра BCLK. Если провести его изменение, то велика вероятность возникновения серьезных сбоев.

Эта информация определяет то, что изменить «опорную частоту» будет довольно сложно. Поэтому единственный выход из сложившей ситуации - изменение показателя множителя, что обычно приводит к незначительному повышению мощности .

Некоторые из процессоров рассматриваемого производителя хорошо реагируют на подобные эксперименты. Примером назовем Core i7−8. При их производстве используется архитектура Lynnfield.

На результаты проводимых экспериментов может оказать влияние и тип материнской памяти . Данный элемент компьютера также имеет чипсет, который отвечает за обработку некоторой информации.

Процессоры, выпускаемые под брендом AMD, постепенно уходят с рынка. При этом они ведут себя более предсказуемо при увеличении производительности оперативной памяти, что позволяет снизить вероятность возникновения ошибок.

В заключение отметим, что повышение производительности всегда приводит к выделению большего количества тепла. Поэтому при недостаточном охлаждении системного блока следует провести установку более мощной системы отвода тепла, так как велика вероятность перегрева.

Видео

Из этого видео вы узнаете, как правильно настроить и разогнать оперативную память вашего ПК.

Не получили ответ на свой вопрос? Предложите авторам тему.