Нюансы разгона памяти DDR3 на платформе LGA1156. Разгоняем DDR3
Выход более доступной платформы Nehalem — LGA1156 — ознаменовал полный отказ Intel от использования шины FSB в качестве связующего звена между процессором и чипсетом, а интеграция контроллера памяти DDR3 дала возможность передавать данные из памяти напрямую в CPU. Но и на этом инженеры компании не остановились, перенеся контроллер шины PCI Express на кристалл процессора, что дало возможность полностью отказаться от двухчиповой компоновки набора системной логики. Разводка материнских плат стала проще и дешевле, но из-за отсутствия доступных моделей CPU с разъемом LGA1156 новую платформу пока экономически целесообразной не назовешь.
С появлением очередного чипсета, а теперь и процессора, тема разгона памяти на платформе Intel не теряет своей актуальности, так как позволяет иногда повысить быстродействие системы и сэкономить на покупке модулей DIMM. В недавнем материале , посвященном нюансам разгона этого компонента системы с процессорами LGA1366 (ядро Bloomfield), мы уже освещали проблемы, с которыми может столкнуться пользователь, если захочет использовать высокочастотные планки. Как оказалось, для работы памяти на частоте свыше 1800 МГц необходимо поднимать напряжение на контроллере памяти до 1,4~1,6 В, а то и выше, что влечет за собой сильный нагрев CPU. Да и не каждый процессор может функционировать в таком режиме, так как с повышением частоты модулей растет частота кэша третьего уровня и контроллера памяти, которая должна превышать значения памяти в два раза. Отчасти эта проблема решилась с переходом процессоров серии Core i7-900 на новый степпинг D0, и обладателям таких CPU стало проще достигать 2000 МГц при разгоне памяти.
Теперь давайте посмотрим, что изменилось с переходом на более доступную платформу LGA1156 (ядро Lynnfield). Как и ранее, частоты большинства узлов системы (процессор, контроллер памяти и кэш третьего уровня, называемые блоком Uncore, шина QPI и память) получаются за счет перемножения определенных коэффициентов на базовую частоту (на блок-схеме множители xM1, xM2, xM3 и xM4), равную в номинале 133 МГц.
Но данные между процессором и чипсетом теперь передаются по шине DMI (знакомая еще с семейства наборов системной логики Intel 915/925), а интерфейс QPI, используемый для этой цели в процессорах Bloomfield, применяется уже для связи между интегрированным контроллером PCI Express и самим CPU. Контроллер памяти лишился одного канала, став 128-битным, и за счет снижения нагрузки на этот блок его частота зафиксирована на одном значении (множитель х18 для серии процессоров Core i7-800 и х16 для Core i5-700), а не так, как было ранее в решениях LGA1366. Свободы по выбору множителя шины QPI у пользователя стало больше, и теперь он может установить либо х18, либо х16 (напомним, что в процессорах Core i7-9xxx не «экстремальных» версий коэффициент умножения был зафиксирован на х18, а у моделей EE равнялся х18, х20 и х24). С памятью стало немного интереснее — максимально доступный множитель равен х12 для Core i7-8xx и x10 для Core i5-7xx, тогда как у CPU с разъемом LGA1366 он x16. Получается, что для старших процессоров новой платформы в стандартном режиме работы будет доступна лишь память DDR3-1600, а для младших — DDR3-1333. Максимальное напряжение питания модулей осталось на прежнем уровне и составляет 1,65 В.
Для большей наглядности все коэффициенты умножения доступных на данный момент моделей процессоров на базе ядра Lynnfield приведены в следующей таблице:
| Модель | Частота, ГГц | Множитель CPU | Множитель Uncore | Множитель памяти* | Множитель QPI |
| Core i7-870 | 2,93 | x9-x22 | x18 | x6, x8, x10, x12 | x16, x18 |
| Core i7-860 | 2,8 | x9-x21 | x18 | x6, x8, x10, x12 | x16, x18 |
| Core i5-750 | 2,66 | x9-x20 | x16 | x6, x8, x10 | x16, x18 |
Как видите, проблем при разгоне памяти до уровня 2000-2200 МГц (а то и выше) на процессорах новой линейки Core i7 нет. Сдерживающий фактор в виде высокой частоты блока Uncore более не проявляется, так как контроллер памяти будет функционировать на 3,0-3,3 ГГц, в отличие от 4,0-4,4 ГГц для таких режимов DDR3 на процессорах Bloomfield. Кроме того, для стабильной работы Uncore на таких частотах памяти достаточно поднять напряжение питания до уровня 1,3-1,4 В с номинальных 1,1 В, а это куда меньше тех значений, необходимых для Core i7-9xx. Не зря производители системных плат афишируют возможность работы их продуктов на базе чипсета Intel P55 Express с модулями DDR3-2133. Только CPU младшей линейки Core i5 будут ограничены частотой планок чуть более 2000 МГц, так как коэффициент умножения для памяти в них равен х10, а не всегда связка «процессор+плата» на P55 способны покорить свыше 205-210 МГц по Bclk.
Итак, осталось закрепить наш теоретический материал на практике, для чего мы использовали два комплекта памяти DDR3-1600 от компании GeIL, плату на базе P55 — ASUS Maximus III Formula и процессор Intel Xeon X3470.
GeIL GU34GB1600C7DC (2x2GB, PC3-12800, CL7-7-7-24)
Компания GeIL (Golden Emperor International Ltd.) была основана в 1993 году, но популярной среди энтузиастов стала вначале 2000-х, когда выпустила серию памяти Golden Dragon, отличающуюся бескорпусными микросхемами памяти со стеклокерамической упаковкой. Далее эксперименты компании продолжились не только с внешним видом, но и с системами охлаждения и характеристиками модулей. Например, она оснащала память никелированными радиаторами с наклейками-термометрами, которые показывали достижение определённой температуры, первой в свое время выпускала высокочастотные модули и даже была одной из пионеров, кто представил комплекты памяти объемом 8 ГБ. Сейчас продукция компании делится фактически на три линейки: Gaming, Ultra и Value. Первая предназначена для геймеров и отличается эффектным внешним видом (правда, непонятно, что там такого геймерского), вторая рассчитана на оверклокеров и энтузиастов благодаря своему потенциалу, а последняя уже для не особо требовательных пользователей. К Value, пожалуй, можно также отнести экономичную серию Green, призванную сберечь «миллионы акров лесных массивов, используемых для выработки электричества».
Для начала мы рассмотрим набор GeIL GU34GB1600C7DC, который относится к серии Ultra. Комплект поставляется в небольшой коробке с изображением спортивного мотоцикла.
Упаковка универсальная для всей серии памяти, поэтому на обратной стороне отмечены основные характеристики набора из общего списка. Для ознакомления с более детальной информацией есть окошки, через которые можно увидеть бирки каждого модуля.
Для большей защиты от повреждения, планки дополнительно уложены в блистер.
Сами модули внешне ничем не отличаются от обычных решений других производителей. Ни тебе радиаторов с хитросплетенными ребрами, ни системы охлаждения с тепловыми трубками. Самые обычные планки с самым простым охлаждением. Может, только GeIL и поняла, что все эти небоскребы СО никому из энтузиастов не нужны?
Алюминиевые половинки радиатора синеватого цвета приклеены «термолипучкой» к чипам памяти и дополнительно скреплены своеобразным замком, не позволяющим хитспридерам отходить от микросхем по краям планок. Часто радиаторы без зажимов или такой особенности отклеиваются от первых одного-двух чипов, а то и вовсе отпадают от модулей. У GeIL с этим пока все в порядке.
Характеристики модулей полностью расписаны на этикетках: 2 ГБ каждая планка, частота 1600 МГц (или ПСП 12800 МБ/с), тайминги 7-7-7-24 при рабочем напряжении 1,6 В. Довольно-таки информативно, в отличие от «шифро-кодов», которые используют крупные производители памяти.
В SPD модулей прописано два набора стандартных задержек 7-7-7-24 и 8-8-8-28 для частот 1333 и 1522 МГц соответственно, и один профиль XMP с номинальными значениями.
Если плата не поддерживает технологию X.M.P., то все параметры работы памяти, естественно, придется выставить в ручную.
GeIL GV34GB1600C9DC (2x2GB, PC3-12800, CL9-9-9-28)
Следующий комплект уже относится к серии Value и поставляется не в такой яркой упаковке, хотя дизайн ее остался прежним.
На обратной стороне также есть вырезы, где видны этикетки модулей, но характеристики набора уже указаны на отдельной наклейке.
Цвет радиаторов изменился на коричневый — единственное, чем отличаются обе серии, рассматриваемые в этом материале.
Рабочая частота планок осталась прежней, но тайминги теперь менее агрессивные. Да и напряжение питания стало меньше и равняется стандартным для памяти DDR3 1,5 вольтам.
Зато наборов задержек и частот в SPD увеличилось: 7-7-7-20 для 1066 МГц, 8-8-8-22 для 1218 МГц, 9-9-9-25 для 1370 МГц и 10-10-10-28 для 1522 МГц.
Профиля XMP нет и все придется выставлять уже самому, что вряд ли сделает большинство пользователей.
Тестовая конфигурация и методика разгона
Память разгонялась на следующей конфигурации:
- Процессор: Intel Xeon X3470 (2,93 ГГц);
- Материнская плата: ASUS Maximus III Formula (Intel P55 Express);
- Видеокарта: ASUS EAH4890/HTDI/1GD5/A (Radeon HD 4890);
- Кулер: Noctua NH-U12P;
- Жёсткий диск: Samsung SP2504C (250 ГБ, SATA2);
- Блок питания: Seasonic SS-600HM (600 Вт).
Соотношение базовой частоты, множителя памяти и процессора в BIOS Setup материнской платы выставлялись следующим образом: коэффициент умножения CPU был х19, шины QPI — x16, памяти всегда был x12 или х10, а частота Bclk была в пределах 133-180 МГц. Напряжение питания контроллера памяти выставлялось на уровне 1,325 В, при необходимости поднималось выше этого значения. Напряжение питания памяти равнялось 1,65 В, процессора — 1,3 В. Остальные настройки BIOS не влияли на уровень разгона и оставались в значении Auto.
Разгонный потенциал выяснялся для трех наборов таймингов, актуальных для памяти DDR3: 7-7-7-21, 8-8-8-24 и 9-9-9-27 с Command Rate 1T. Второстепенные задержки оставались в значении Auto.
Результаты разгона
Итак, комплект памяти GeIL GU34GB1600C7DC при таймингах 7-7-7-21 смог стабильно функционировать на частоте 1680 МГц, что не так уж и много. Частота базовой в таком режиме равнялась 140 МГц, множитель на памяти составлял х12. Ослабление задержек до уровня 8-8-8-24 уже позволило пройти тесты на 1920 МГц (Bclk 160 МГц), а это уже куда интереснее. С выставлением таймингов 9-9-9-27 и поднятием напряжения питания на контроллере памяти до 1,351 В без каких-либо проблем модули работали на частоте 2160 МГц (базовая 180 МГц) — результат можно назвать превосходным.
Увы, но комплект GeIL GV34GB1600C9DC из простой серии продемонстрировал низкий разгонный потенциал. При задержках 7-7-7-21 из памяти удалось выжать лишь 1380 МГц. Частота Bclk равнялась 140 МГц, коэффициент умножения памяти был х10. Увеличение задержек до 8-8-8-24 отодвинуло планку почти на 200 МГц (базовая 157 МГц), а с 9-9-9-27 уже переделом стали 1764 МГц, при этом Bclk равнялся 147 МГц, множитель памяти — х12.
Производительность
Теперь осталось посмотреть на разницу в производительности при переходе на высокочастотную память. Из-за отсутствия множителя большего чем х12 тестирование, естественно, будет проходить в режиме оверклокинга. Добавим сюда еще несколько комбинаций «Bclk+множитель памяти» и получим при практически одной и той же частоте модулей различную частоту Uncore. В итоге у нас было следующее количество конфигураций памяти и остальных узлов системы:
- 2160 МГц, 9-9-9-27, CPU 3430 МГц, Uncore 3250 МГц (Bclk 180 МГц);
- 1936 МГц, 8-8-8-24, CPU 3389 МГц, Uncore 2905 МГц (Bclk 161 МГц);
- 1910 МГц, 8-8-8-24, CPU 3444 МГц, Uncore 3444 МГц (Bclk 191 МГц);
- 1630 МГц, 7-7-7-21, CPU 3430 МГц, Uncore 2934 МГц (Bclk 163 МГц);
- 1620 МГц, 7-7-7-21, CPU 3445 МГц, Uncore 3648 МГц (Bclk 202 МГц).
| 2160 МГц, 9-9-9-27, CPU 3430 МГц, Uncore 3250 МГц (Bclk 180 МГц) | 1936 МГц, 8-8-8-24, CPU 3389 МГц, Uncore 2905 МГц (Bclk 161 МГц) | 1910 МГц, 8-8-8-24, CPU 3444 МГц, Uncore 3444 МГц (Bclk 191 МГц) | 1630 МГц, 7-7-7-21, CPU 3430 МГц, Uncore 2934 МГц (Bclk 163 МГц) | 1620 МГц, 7-7-7-21, CPU 3445 МГц, Uncore 3648 МГц (Bclk 202 МГц) | |
| Everest/Read, MB/s | 18329 | 17653 | 19176 | 16010 | 18294 |
| Everest/Write, MB/s | 14195 | 12788 | 14874 | 12929 | 15198 |
| Everest/Copy, MB/s | 19629 | 17947 | 20151 | 18276 | 19121 |
| Everest/Latency, ns | 38,1 | 40,1 | 37,9 | 42,6 | 39,9 |
| Cinebench 10/1CPU, score | 4899 | 4815 | 4934 | 4861 | 4930 |
| Cinebench 10/xCPU, score | 17761 | 17024 | 17640 | 17270 | 17617 |
| Cinebench 10/OpenGL, score | 10059 | 9868 | 10243 | 9992 | 10222 |
| Fritz Chess Benchmark, KNPS | 10239 | 10095 | 10243 | 10198 | 10238 |
| wPrime/32M, s | 9,516 | 9,688 | 9,469 | 9,518 | 9,451 |
| wPrime/1024M, s | 309,73 | 305,267 | 300,705 | 307,522 | 300,283 |
| 3DMark Vantage, score | 11509 | 11516 | 11533 | 11503 | 11533 |
| 3DMark Vantage/GPU, score | 10533 | 10562 | 10543 | 10534 | 10553 |
| 3DMark Vantage/CPU, score | 15942 | 15798 | 16055 | 15884 | 15989 |
| Crysis/1680x1050/High, average fps (min fps) | 49,82 (32,76) | 49,69 (35,71) | 49,92 (35,48) | 49,69 (35,88) | 49,94 (35,39) |
Судя по результатам, оптимальным вариантом является использование контроллера памяти и кэша третьего уровня при частоте свыше 3 ГГц, когда блок Uncore успевает обрабатывать данные, поступающие непосредственно из памяти. При частоте ниже этого значения падение производительности может достигать 15-20%. Правда, в узкоспециализированных тестах — в реальных приложениях разница куда меньше. Что касается режимов работы памяти, то самым эффективным оказался с частотой 1910 МГц. Для DDR3-2133 (а в нашем случае даже 2160 МГц) перспектива крайне не радужная — результаты при использовании такой памяти не сильно отличаются от обычных 1600-мегагерцовых планок! Кто там еще хочет купить высокочастотные модули? Очередной развод индустрии высоких технологий во всей красе...
Выводы
С переходом на двухканальный контроллер памяти в процессорах архитектуры Nehalem требования к блоку Uncore уменьшились и теперь модули без проблем могут работать на частоте свыше 2000 МГц. Разгон данного компонента системы стал проще и не требует подбора особого экземпляра процессора, который смог бы работать с памятью на такой частоте, как это было с моделями серии Core i7-900. Вот только эффект от использования комплектов DDR3-2133 или при разгоне до такой частоты пользователь вряд ли заметит. И, как и ранее, подобный режим работы необходим лишь для экстремального оверклокинга, не более того. Большенству энтузиастов проще ограничится разгоном до 1900 МГц (или режимом работы высокочастотных модулей на таком уровне) с повышение частоты контроллера памяти свыше 3 ГГц.
Набор памяти GeIL GU34GB1600C7DC порадовал своим потенциалом, ведь он смог со своих стандартных 1600 МГц разогнаться до 2160 МГц, а это очень даже неплохо. Радует также, что компания GeIL не стала городить сложные системы охлаждения, которые кроме увеличения высоты модулей ничего не дают.
Комплект GeIL GV34GB1600C9DC рассчитан на нетребовательных пользователей и вряд ли от него стоило чего-то ожидать, что и подтверждает слабый разгон. Пожалуй, приверженцы этой марки и желающие сэкономить, но при этом не требущие запредельных характеристик от памяти, будут довольны.
Благодарим следующие компании за предоставленное тестовое оборудование:
Мы уже рассказывали о том, как разгонять процессоры и видеокарты. Еще один компонент, достаточно ощутимо влияющий на производительность отдельно взятого компьютера, - оперативная память. Форсирование и тонкая настройка режима работы ОЗУ позволяют повысить быстродействие ПК в среднем на 5-10%. Если подобный прирост достигается без каких-либо денежных вложений и не влечет риски для стабильности системы - почему бы не попробовать? Однако начав готовить данный материал, мы пришли к выводам о том, что описания собственно процесса разгона будет недостаточно. Понять, почему и для чего надо изменять определенные настройки работы модулей, можно, лишь вникнув в суть работы подсистемы памяти компьютера. Потому в первой части материала мы кратко рассмотрим общие принципы функционирования ОЗУ. Во второй приведены основные советы, которых следует придерживаться начинающим оверклокерам при разгоне подсистемы памяти.
Основные принципы функционирования оперативной памяти одинаковы для модулей разных типов. Ведущий разработчик стандартов полупроводниковой индустрии JEDEC предоставляет возможность каждому желающему ознакомиться с открытыми документами, посвященными этой тематике. Мы же постараемся кратко объяснить базовые понятия.
Итак, оперативная память - это матрица, состоящая из массивов, именуемых банками памяти. Они формируют так называемые информационные страницы. Банк памяти напоминает таблицу, каждая ячейка которой имеет координаты по вертикали (Column) и горизонтали (Row). Ячейки памяти представляют собой конденсаторы, способные накапливать электрический заряд. С помощью специальных усилителей аналоговые сигналы переводятся в цифровые, которые в свою очередь образуют данные. Сигнальные цепи модулей обеспечивают подзарядку конденсаторов и запись/считывание информации.
Алгоритм работы динамической памяти можно описать такой последовательностью:
- Выбирается чип, с которым будет осуществляться работа (команда Chip Select, CS). Электрическим сигналом проводится активация выбранной строки (Row Activate Selection). Данные попадают на усилители и могут быть считаны определенное время. Эта операция в англоязычной литературе называется Activate.
- Данные считываются из соответствующей колонки/записываются в нее (операции Read/Write). Выбор колонок проводится командой CAS (Column Activate Selection).
- Пока строка, на которую подан сигнал, остается активной, возможно считывание/запись соответствующих ей ячеек памяти.
- При чтении данных - зарядов конденсаторов - их емкость теряется, поэтому требуется подзарядка или закрытие строки с записью информации в массив памяти (Precharge).
- Конденсаторы-ячейки со временем теряют свою емкость и требуют постоянной подзарядки. Эта операция - Refresh - выполняется регулярно через отдельные промежутки (64 мс) для каждой строки массива памяти.
На выполнение операций, происходящих внутри оперативной памяти, уходит некоторое время. Именно его и принято называть таким знакомым словом «тайминги» (от англ. time). Следовательно, тайминги - временные промежутки, необходимые для выполнения тех или иных операций, осуществляющихся в работе ОЗУ.
Схема таймингов, указываемых на стикерах модулей памяти, включает в себя лишь основные задержки CL-tRCD-tRP-tRAS (CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Cycle Time (или Active to Precharge)). Все остальные, в меньшей мере оказывающие влияние на скорость работы ОЗУ, принято называть субтаймингами, дополнительными или второстепенными таймингами.
Приводим расшифровку основных задержек, возникающих при функционировании модулей памяти:
CAS Latency (CL) - пожалуй, самый важный параметр. Определяет минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).
RAS to CAS Delay (tRCD) определяет интервал времени между подачей команд RAS и CAS. Обозначает число тактов, необходимых для поступления данных в усилитель.
RAS Precharge (tRP) - время, уходящее на перезарядку ячеек памяти после закрытия банка.
Row Active Time (tRAS) - временной промежуток, на протяжении которого банк остается открытым и не требует перезарядки.
Command Rate 1/2T (CR) - время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. При значении 1T команда распознается за один такт, при 2T - за два.
Bank Cycle Time (tRC, tRAS/tRC) - время полного такта доступа к банку памяти, начиная с открытия и заканчивая закрытием. Изменяется вместе с tRAS.
DRAM Idle Timer - время простоя открытой информационной страницы для чтения данных с нее.
Row to Column (Read/Write) (tRCD, tRCDWr, tRCDRd) напрямую связан с параметром RAS to CAS Delay (tRCD). Вычисляется по формуле tRCD(Wr/Rd) = RAS to CAS Delay + Rd/Wr Command Delay. Второе слагаемое - величина нерегулируемая, определяет задержку на выполнение записи/чтения данных.
Пожалуй, это базовый набор таймингов, зачастую доступный для изменения в BIOS материнских плат. Расшифровку остальных задержек, как и детальное описание принципов работы и определение влияния тех или иных параметров на функционирование ОЗУ можно найти в спецификациях уже упомянутой нами JEDEC, а также в открытых datasheet производителей наборов системной логики.
| Тип памяти | Рейтинг | Реальная частота работы памяти, МГц | Эффективная частота работы памяти (DDR, Double Data Rate), МГц |
| DDR | PC 2100 | 133 | 266 |
| PC 2700 | 167 | 333 | |
| PC 3200 | 200 | 400 | |
| ЗС 3500 | 217 | 434 | |
| PC 4000 | 250 | 500 | |
| PC 4300 | 266 | 533 | |
| DDR2 | PC2 4300 | 266 | 533 |
| PC2 5400 | 333 | 667 | |
| PC2 6400 | 400 | 800 | |
| PC2 8000 | 500 | 1000 | |
| PC2 8500 | 533 | 1066 | |
| PC2 9600 | 600 | 1200 | |
| PC2 10 400 | 650 | 1300 | |
| DDR3 | PC3 8500 | 533 | 1066 |
| PC3 10 600 | 617,5 | 1333 | |
| PC3 11 000 | 687,5 | 1375 | |
| PC3 12 800 | 800 | 1600 | |
| PC3 13 000 | 812,5 | 1625 | |
| PC3 14 400 | 900 | 1800 | |
| PC3 15 000 | 933 | 1866 | |
| Отметим, что числовое обозначение рейтинга в данном случае согласно спецификациям JEDEC указывает на скорость в миллионах передач в секунду через один вывод данных. Что касается быстродействия и условных обозначений, то вместо эффективной частоты работы правильнее говорить, что скорость передачи данных в два раза больше тактовой частоты модуля (данные передаются по двум фронтам сигналов тактового генератора). |
|||
Основные тайминги памяти
Объяснение одного из таймингов tRP (Read to Precharge, RAS Precharge) с помощью типичной схемы в datasheet от JEDEC. Расшифровка подписей: CK и CK - тактовые сигналы передачи данных, инвертированные один относительно другого (Differential Clock); COMMAND - команды, поступающие на ячейки памяти; READ - операция чтения; NOP - команды отсутствуют; PRE - подзарядка конденсаторов - ячеек памяти; ACT - операция активации строки; ADDRESS - адресация данных к банкам памяти; DQS - шина данных (Data Strobe); DQ - шина ввода-вывода данных (Data Bus: Input/Output); CL - CAS Latency в данном случае равен двум тактам; DO n - считывание данных со строки n. Один такт - временной промежуток, необходимый для возврата сигналов передачи данных CK и CK в начальное положение, зафиксированное в определенный момент.
 |
Упрощенная блок-схема, объясняющая основы работы памяти стандарта DDR2. Она создана с целью демонстрации возможных состояний транзисторов и команд, которые их контролируют. Как видите, чтобы разобраться в столь «простой» схеме, потребуется не один час изучения основ работы ОЗУ (мы уже не говорим о понимании всех процессов, происходящих внутри чипов памяти).
Основы разгона оперативной памяти
Быстродействие ОЗУ в первую очередь определяют два показателя: частота работы и тайминги. Какой из них окажет большее влияние на производительность ПК, следует выяснять индивидуально, однако для разгона подсистемы памяти нужно использовать оба пути. На что же способны ваши модули? С достаточно высокой долей вероятности поведение плашек можно спрогнозировать, определив названия используемых в них чипов. Наиболее удачные оверклокерские микросхемы стандарта DDR - Samsung TCCD, UCCC, Winbond BH-5, CH-5; DDR2 - Micron D9xxx; DDR3 - Micron D9GTR. Впрочем, итоговые результаты будут зависеть и от типа РСВ, системы, в которой установлены модули, умения владельца разгонять память и просто от удачи при выборе экземпляров.
Пожалуй, первый шаг, который делают новички, - повышение рабочей частоты ОЗУ. Она всегда привязана к FSB процессора и выставляется с помощью так называемых делителей в BIOS платы. Последние могут выражаться в дробном виде (1:1, 1:1,5), в процентном выражении (50%, 75%, 120%), в режимах работы (DDR-333, DDR2-667). При разгоне процессора путем увеличения FSB автоматически возрастает частота работы памяти. К примеру, если мы использовали повышающий делитель 1:1,5, то при изменении частоты шины с 333 до 400 МГц (типично для форсирования Core 2 Duo) частота памяти поднимется с 500 МГц (333×1,5) до 600 МГц (400×1,5). Поэтому, форсируя ПК, следите, не является ли камнем преткновения предел стабильной работы оперативной памяти.
Следующий шаг - подбор основных, а затем дополнительных таймингов. Их можно выставлять в BIOS материнской платы или же изменять специализированными утилитами на лету в ОС. Пожалуй, самая универсальная программа - MemSet, однако владельцам систем на базе процессоров AMD Athlon 64 (K8) очень пригодится A64Tweaker. Прирост производительности можно получить лишь путем понижения задержек: в первую очередь CAS Latency (CL), а затем RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Active to Precharge (tRAS). Именно их в сокращенном виде CL4-5-4-12 указывают изготовители модулей памяти на стикерах продуктов. Уже после настройки основных таймингов можно переходить к понижению дополнительных.
 |
Модули стандартов: a) DDR2; b) DDR; c) SD-RAM.
|
На результаты разгона оперативной памяти значительное влияние оказывает увеличение напряжения питания плашек. Безопасный для длительной эксплуатации предел зачастую превышает заявленные производителями значения на 10-20%, однако в каждом случае подбирается индивидуально с учетом специфики чипов. Для наиболее распространенной DDR2 рабочее напряжение зачастую равно 1,8 В. Его без особого риска можно поднять до 2-2,1 В при условии, что это влечет за собой улучшение результатов разгона. Впрочем, для оверклокерских модулей, использующих чипы Micron D9, производители заявляют штатное напряжение питания на уровне 2,3-2,4 В. Превышать эти значения рекомендуется только для кратковременных бенчинг-сессий, когда важен каждый дополнительный мегагерц частоты. Отметим, что при длительной эксплуатации памяти при напряжениях питания, отличающихся от безопасных для используемых чипов значений, возможна так называемая деградация модулей ОЗУ. Под этим термином понимают снижение разгонного потенциала модулей со временем (вплоть до неспособности работать в штатных режимах) и полного выхода плашек из строя. На деградационные процессы особо не влияет качество охлаждения модулей - даже холодные чипы могут быть им подвержены. Конечно, есть и примеры длительного успешного использования ОЗУ при высоких напряжениях, но помните: все операции при форсировании системы вы проводите на свой страх и риск. Не переусердствуйте.
Прирост производительности современных ПК можно получить, используя преимущества двухканального режима (Dual Channel). Это достигается за счет увеличения ширины канала обмена данными и роста теоретической пропускной способности подсистемы памяти. Такой вариант не требует специальных знаний, навыков и тонкой настройки режимов работы ОЗУ. Для активации Dual Channel достаточно иметь два или четыре модуля одинакового объема (при этом необязательно использовать полностью идентичные плашки). Двухканальный режим включается автоматически после установки ОЗУ в соответствующие слоты материнской платы.
Все описанные манипуляции приводят к увеличению быстродействия подсистемы памяти, однако заметить прирост невооруженным глазом зачастую сложно. При хорошей настройке и ощутимом повышении частоты работы модулей можно рассчитывать на прибавку производительности порядка 10-15%. Среднестатистические показатели более низкие. Стоит ли овчинка выделки и нужно ли тратить время на игры с настройками? Если хотите детально изучить повадки ПК - почему бы и нет?
ЕРР и XMP - разгон ОЗУ для ленивых
Далеко не все пользователи изучают особенности настройки ПК на максимальное быстродействие. Именно для новичков оверклокинга ведущие компании предполагают простые способы повышения производительности компьютера.
В отношении ОЗУ все началось с технологии Enhanced Performance Profiles (EPP), представленной NVIDIA и Corsair. Материнские платы на базе nForce 680i SLI первыми предоставили максимальную функциональность в плане настройки подсистемы памяти. Суть ЕРР довольно проста: производители ОЗУ подбирают гарантированные нестандартные скоростные режимы функционирования собственных продуктов, а разработчики системных плат предоставляют возможность их активировать через BIOS. EPP - расширенный перечень настроек модулей, дополняющий базовый набор. Существует две версии ЕРР - сокращенная и полная (два и одиннадцать резервных пунктов соответственно).
| Параметр | Возможные значения для ЕРР | Поддерживается | ||
| JEDEC SPD | Сокращенный профиль ЕРР | Полный профиль ЕРР | ||
| CAS Latency | 2, 3, 4, 5, 6 | Да | Да | Да |
| Minimum Cycle time at Supported CAS | JEDEC + 1,875 нс (DDR2-1066) | Да | Да | Да |
| Minimum RAS to CAS Delay (tRCD) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Minimum Row Precharge Time (tRP) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Minimum Active to Precharge Time (tRAS) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Write Recovery Time (tWR) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Minimum Active to Active/Refresh Time (tRC) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Voltage Level | 1,8-2,5 В | - | Да | Да |
| Address Command Rate | 1Т, 2Т | - | Да | Да |
| Address Drive Strenght | 1.0х, 1.25х, 1.5х, 2.0х | - | - | Да |
| Chip Select Drive Strenght | 1.0х, 1.25х, 1.5х, 2.0х | - | - | Да |
| Clock Drive Strenght | 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х | - | - | Да |
| Data Drive Strenght | 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х | - | - | Да |
| DQS Drive Strenght | 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х | - | - | Да |
| Address/ Command Fine Delay | 0, 1/64, 2/64, 3/64 MEMCLK | - | - | Да |
| Address/ Command Setup Time | 1/2, 1 MEMCLK | - | - | Да |
| Chip Select Delay | 0, 1/64, 2/64, 3/64 MEMCLK | - | - | Да |
| Chip Select Setup Time | 1/2, 1 MEMCLK | - | - | Да |
| * Диапазон значений соответствует требованиям, определенным JEDEC для модулей DDR2 | ||||
| Расширенные профили ЕРР позволяют автоматически управлять ощутимо большим количеством задержек модулей стандарта DDR2, чем базовый набор, сертифицированный JEDEC. | ||||
Дальнейшее развитие данной темы - концепция Xtreme Memory Profiles (ХМР), представленная компанией Intel. По своей сути данное новшество не отличается от ЕРР: расширенный набор настроек для ОЗУ, гарантированные производителями скоростные режимы записаны в SPD планок и при необходимости активируются в BIOS платы. Поскольку Xtreme Memory Profiles и Enhanced Performance Profiles предоставлены разными разработчиками, модули сертифицируются под их собственные наборы системной логики (на чипсетах NVIDIA или Intel). XMP, как более поздний стандарт, относится только к DDR3.
Безусловно, несложные в активации резервов ОЗУ технологии EPP и XMP пригодятся новичкам. Однако позволят ли производители модулей просто так выжать максимум из своих продуктов? Хотите еще больше? Тогда нам по пути - будем глубже вникать в суть повышения быстродействия подсистемы памяти.
Итоги
В небольшом материале сложно раскрыть все аспекты работы модулей, принципы функционирования динамической памяти вообще, показать, насколько повлияет изменение одной из настроек ОЗУ на общую производительность системы. Однако надеемся, что начало положено: тем, кто заинтересовался теоретическими вопросами, настоятельно рекомендуем изучить материалы JEDEC. Они доступны каждому желающему. На практике же опыт традиционно приходит со временем. Одна из главных целей материала - объяснение новичкам основ разгона подсистемы памяти.
Тонкая настройка работы модулей - дело довольно хлопотное, и если вам не нужна максимальная производительность, если каждый балл в тестовом приложении не решает судьбу рекорда, можно ограничиться привязкой к частоте и основным таймингам. Существенное влияние на быстродействие оказывает параметр CAS Latency (CL). Выделим также RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Cycle Time (или Active to Precharge) (tRAS) - это базовый набор, основные тайминги, всегда указываемые производителями. Обратите внимание и на опцию Command Rate (наиболее актуально для владельцев современных плат на чипсетах NVIDIA). Впрочем, не стоит забывать о балансе характеристик. Системы, использующие неодинаковые контроллеры памяти, по-разному могут реагировать на изменения параметров. Разгоняя ОЗУ, следует придерживаться общей схемы: максимальный разгон процессора при пониженной частоте модулей → предельный разгон памяти по частоте с наихудшими задержками (изменением делителей) → снижение таймингов при сохранении достигнутых частотных показателей.
Дальше - тестирование производительности (не ограничивайтесь лишь синтетическими приложениями!), затем новая процедура разгона модулей. Установите значения основных таймингов меньше на порядок (скажем, 4-4-4-12 вместо 5-5-5-15), с помощью делителей подберите максимальную частоту в таких условиях и протестируйте ПК заново. Таким образом возможно определить, что больше всего «по душе» вашему компьютеру - высокая частота работы или низкие задержки модулей. После чего переходите к тонкой настройке подсистемы памяти, поиску минимальных значений для субтаймингов, доступных для корректировки. Желаем удачи в этом нелегком деле!
1. Разогнанный процессор в паре с не разогнанной памятью не даст максимальной производительности.
2. Пример приводится по разгону «обычной» DDR-памяти.
Но если у вас, например, CeleronD и память DDRII, то сам процесс остается таким же.
Изменяются лишь параметры частот и таймингов (память DDRII работает на более высоких частотах с более высокими таймингами).
Разгон по частоте
1. Заходим в BIOS, нажав и удерживая клавишу «Delete» в начальный момент загрузки системы (до экрана загрузки Windows).
2. «Advanced Chipset Features» - «DRAM Configuration» - это вкладка редактирования параметров таймингов памяти.
Далее в каждой строчке вместо AUTO ставим то число, которое справа от черточки.
«Row Cycle Time (tRC)» - 12.
«Row Refresh Cycle Time (tRFC)» - 16.
Другие таймиги должны быть выставлены для частоты 400 MHz.
«Power Bios» - «Memory Frequency» - DDR333 (166 MHz).
Если тесты не пройдены или выскакивают сообщения об ошибках памяти:
Поднимаем напряжение памяти
«Power Bios» - «Memory Voltage» - 2.9v (3.0v).
Опять прогоняем тесты.
- снижаем делитель
«Power Bios» - «Memory Frequency» - DDR266 (133 MHz) и опять тестируем в Windows, но после этого, обычно память уже работает стабильно.
Например, множитель процессора 9, разгон 2700 MHz, память выставлена, как DDR333.
Следовательно, 2700 делим на 11.
Результат - 245 MHz т.е. 490 MHz DDR.
Следует выделить еще один тип разгона: с понижением множителя (и повышением частоты шины), для того, чтобы найти наиболее оптимальную частоту памяти.
Разгон по таймингам
Иногда разгон по таймингам дает лучшие результаты, чем разгон по частоте.
Так что следует проверить и первый, и второй варианты.
Также увеличение основных таймингов ведет к приросту разгона по частоте.
«Advanced Chipset Features» - «DRAM Configuration 1T\2T Memory Timing» - «1T».
Тестируем в Windows.
Основные тайминги памяти:
CAS# Latency (CL) -> 2.5T (для более дорогой памяти можно 2.0).
RAS# To CAS# Delay (tRCD) -> 3T.
RAS# Precharge (tRP) -> 3T.
Cycle time (Tras) -> 7T.
Тайминги можно выставить и ниже приведенных значений - все зависит только от способностей вашей памяти.
А проверить это можно только тестированием в тестовых пакетах и реальных приложениях.
Для недорогой памяти (Digma/NCP/PQI) на частотах выше 400 MHz основные тайминги желательно выставить, как 3.0-4-4-8 соответственно.
Опять тестируем в Windows.
Если стабильности нет, повышаем напряжение на памяти, увеличиваем тайминги.
Так как сложно подобрать память (даже одинаковую модель), которая работала бы так же, как, например, в тестах, следует самостоятельно выбрать именно ту частоту и те тайминги, на которых была бы полная стабильность.
Наиболее востребованными на рынке оперативной памяти были и остаются бюджетные планки. И не только потому, что для сборки большинства компьютеров используются компоненты среднего ценового уровня, в который высокочастотная память просто не вписывается ни по цене, ни по характеристикам. Из-за ограничений, накладываемых контроллером памяти в ЦП или северном мосту, для разгона DDR3 до частот выше 2000-2200 МГц подойдет далеко не каждый процессор и материнская плата. На данный момент выбор платформы для работы такой памяти ограничен всего пятью вариантами:
- Socket AM3+ (AMD Bulldozer);
- Socket FM1 (AMD Llano);
- Socket 1156 (Core i7-8xx Lynnfield);
- Socket 2011 (Sandy Bridge-E);
- Socket 1366 (Core i7-9xx Gulftown).
Возможно, очень скоро к этому списку добавятся Ivy Bridge, при условии, что для них окажутся работоспособными множители для частоты памяти выше 1:8.
Но главная причина выбора в пользу бюджетной памяти в том, что даже при сборке более-менее мощной конфигурации предпочтительнее выделить больше средств на видеокарту, процессор или даже SSD-накопитель.
Значительное снижение цен на оперативную память привело к смещению спроса в сторону модулей по 4 гигабайта. На данный момент разница в цене между топовой и бюджетной памятью такого объема может отличаться в несколько раз – от $40 за пару модулей по 4 Гбайта с номиналом 1333 МГц до $499 за комплект Corsair Dominator GTX8 , работающий на частоте 2400 МГц.
Сократить и без того несущественную разницу между дорогой и дешевой памятью (что сказывается на производительности компьютера в целом) можно при помощи разгона и выбора модулей, построенных с использованием «правильных» микросхем. Вероятность того, что среди дешевой памяти вам попадется та, что сможет работать на 2400 МГц с таймингами 9-11-11-28 (особенно в конфигурации из четырех модулей общим объемом 16 гигабайт), очень невысока. Но, тем не менее, в большинстве случаев смело можно рассчитывать на разгон до стандартной (для массовой ныне платформы Sandy Bridge) частоты 2133 МГц.
Недавно в лаборатории уже было протестировано несколько комплектов недорогой памяти разных производителей. Но, к сожалению, среди доступных на тот момент модулей не удалось найти Hynix и Samsung, хорошо известных участникам нашего форума благодаря своему отличному разгонному потенциалу. Поэтому было решено провести еще одно тестирование, включив в него планки этих производителей. Из него вы узнаете о разгоне оригинальных планок памяти Samsung на микросхемах K4B2G0846C-HCH9, K4B2G0846D-BCK0, K4B2G0846D-HCK0 и Hynix на микросхемах H5TQ2G83CFR-H9C, а также о том, как они реагируют на различные сочетания таймингов и повышение напряжения.
Характеристики
Характеристики модулей памяти перечислены в таблице:
| Производитель модуля | Hynix | Samsung | Samsung | Samsung |
| Маркировка модуля | HMT351U6CFR-H9 | M378B5273CH0-CH9 | M378B5273DH0-CK0 | M378B5273DH0-CK0 |
| Маркировка микросхем | H5TQ2G83CFR-H9C | K4B2G0846C-HCH9 | K4B2G0846D-BCK0 | K4B2G0846D-HCK0 |
| Объём, Мбайт | 4096 | 4096 | 4096 | 4096 |
| Тип памяти | DDR3-1333 | DDR3-1333 | DDR3-1600 | DDR3-1600 |
| Поддержка ECC | Нет | Нет | Нет | Нет |
| Рейтинг | PC3-10600 | PC3-10600 | PC3-12800 | PC3-12800 |
| Частота, МГц | 1333 | 1333 | 1600 | 1600 |
| Тайминги | 9-9-9-24 | 9-9-9-24 | 11-11-11-28 | 11-11-11-28 |
| Напряжение, В | 1.50 | 1.50 | 1.50 | 1.50 |
| Профили EPP/XMP/BEMP | Нет | Нет | Нет | Нет |
| Цена, руб.* | 630 | 700 | 860 | 860 |
Упаковка и внешний вид
Все протестированные модули поставлялись в антистатическом пакетике без какой-либо дополнительной комплектации. Экономия на упаковке – один из способов уменьшить конечную розничную цену для покупателя. Даже если изначально производителем памяти и были предусмотрены какие-то пластиковые коробочки, то от них вполне могли избавиться, чтобы сократить затраты на логистику. Ничего страшного в этом нет, но стоит знать, что при таком способе транспортировки часть модулей приезжает «битыми». Поэтому при получении их в магазине необходим внимательный осмотр на отсутствие повреждений. Также не лишним будет взять с собой в магазин упаковку от какой-либо другой памяти, чтобы не повредить только что купленную по дороге домой.
Кстати, одна из взятых на тестирование планок оказалась со сколотыми элементами, и было потрачено дополнительное время на её замену.
Начнем обзор с модулей Hynix, интересных, прежде всего тем, что на данный момент микросхемы именно этого производителя используются в большинстве дорогих высокочастотных комплектов памяти, состоящих из планок объемом 4 Гбайта.
Hynix Original HMT351U6CFR-H9 (Hynix H5TQ2G83CFR-H9C)
Модуль памяти производства Hynix выполнен на печатной плате синего цвета. Объем - 4096 Мбайт, он набран шестнадцатью микросхемами с плотностью два гигабита, которые установлены по восемь с каждой стороны.
На наклейке приведена маркировка планки (part number) HMT351U6CFR-H9, её объем, номинальная частота и неделя производства (38 неделя 2011 года):
Компания Hynix является одним из крупнейших производителей полупроводниковых компонентов, поэтому для модулей памяти использует микросхемы собственного производства.
В данном случае это микросхемы DDR3 памяти Hynix H5TQ2G83CFR-H9C, выпущенные на 35 неделе 2011 года. Они рассчитаны на работу с частотой 1333 МГц, таймингами 9-9-9 и напряжением 1.50 В. Документацию к ним в формате PDF можно скачать с сайта производителя (218 Кбайт).
Микросхема SPD:
Дамп её содержимого, полученный при помощи SPDTool v0.6.3: hynix_hmt351u6cfr-h9.spd .
Модуль основан на PCB ST-104B:
По надписи «Hynix Korea» на печатной плате можно было бы предположить, что она сделана на заводе Hynix в Корее, но это не так. Как вы увидите чуть ниже, некоторые разновидности модулей памяти Samsung тоже используют плату ST-104B со схожим дизайном, но с надписью «Samsung». Вероятно, и Samsung, и Hynix заказывают изготовление PCB для своих модулей памяти у одного и того же стороннего производителя, а далее уже получают их с отличающимися маркировками. А затем на собственных заводах в Корее собирают модуль, устанавливая на него свои микросхемы.
Переходим к обзору памяти Samsung и начнем с самой дешевой модели:
Samsung Original M378B5273CH0-CH9 (SEC K4B2G0846C-HCH9)
Компания Samsung использует зеленый цвет для своих модулей. Плотность микросхем стандартная (2 Гбит), поэтому их количество и размещение не отличается от других планок объемом 4 Гбайта.
Наклейка на модуле по форме и набору информации на ней такая же, как и у Hynix. Приводится маркировка M378B5273CH0-CH9, объем модуля, номинальная частота и неделя производства (51 неделя 2011 года):
Компания Samsung (аналогично Hynix) является производителем микросхем памяти и использует их для изготовления собственной продукции.
Используется PCB с маркировкой ST-104B, как и у модулей Hynix, но с отличающимся дизайном:
Следующие две разновидности модулей памяти Samsung незначительно дороже уже рассмотренных выше, но зато они и рассчитаны на чуть более высокую частоту 1600 МГц.
Не все знают, что оперативную память недостаточно просто установить в компьютер. Её полезно настроить, разогнать. Иначе она будет давать минимально заложенную в параметры эффективность. Здесь важно учесть, сколько планок установить, каким образом распределять их по слотам, как проставить параметры в БИОСе. Ниже вы найдёте советы по установке RAM, узнаете, как правильно установить, настроить и .
Первый вопрос, возникающий при желании повысить производительность, быстродействие ОЗУ у пользователей, - возможно ли установить в компьютер модули памяти разного производства, отличающиеся частотой? Решая, как установить оперативную память в компьютер, приобретайте лучше модули одного производства, с одной частотностью.
Теоретически, если установить модули разночастотные, оперативная память работает, но на характеристиках самого медленного модуля. Практика же показывает, что зачастую возникают проблемы несовместимости: не включается ПК , происходят сбои ОС.
Следовательно, при планах установить несколько планок покупайте набор в 2 либо 4 модуля. В одинаковых планках чипы обладают одинаковыми параметрами разгонного потенциала.
Полезность многоканального режима
Современный компьютер поддерживает многоканальность в работе оперативной памяти , минимально оборудованы 2 канала. Есть процессорные платформы с трёхканальным режимом, есть с восемью слотами памяти для четырёхканального режима.
При включении двухканального режима прибавляется 5–10% производительности процессору, графическому же ускорителю - до 50%. Потому при сборке даже недорогого игрового устройства рекомендуется установка минимум двух модулей памяти.
Если подключаете два модуля ОЗУ, а плата, установленная в компьютер, снабжена 4 слотами DIMM, соблюдайте очерёдность установки. Для включения двухканального режима ставьте в компьютер модули, чередуя разъёмы платы через один, т. е. поставьте в 1 и 3 либо задействуйте разъёмы 2 и 4. Чаще удобен второй вариант, ведь нередко первый слот для ОЗУ перекрывается кулером процессора. Если радиаторы низкопрофильные, подобной проблемы не возникнет.
Проконтролировать, подключился ли двухканальный режим, сможете через приложение AIDA64. Пройдите в нём в пункт «Тест кэша и памяти». Утилита поможет вам также просчитать быстродействие RAM до разгона, понаблюдать, как изменилась память, её характеристики после процедуры разгона.
Настройка частоты, таймингов
Для разгона ОЗУ, нужно знать, как . Когда только поставите ОЗУ в компьютер, оперативка будет работать, скорее всего, на минимально возможной частоте, имеющейся в техпараметрах процессора. Максимальную частоту нужно установить, настроить через BIOS материнки, можно вручную, для ускорения существует технология Intel XMP, поддерживаемая практически всеми платами, даже AMD.
Когда поставите вручную 2400 МГц, память станет функционировать на стандартных таймингах для этой частоты, которые составляют 11-14-14-33. Но модули HyperX Savage справляются со стабильной работой при меньших таймингах на высокой частоте в 2400 МГц, такое соотношение (низкие тайминги с высокой частотностью) являются гарантией высокого быстродействия ОЗУ.
Полезная технология, разработанная корпорацией Intel - Extreme Memory Profile - позволяет избежать ручного проставления каждого тайминга, в два клика выбираете оптимальный профиль из приготовленных производителем.
Разгон памяти
Мы выше говорили, что установить, даже правильно, планки оперативки - недостаточно. Включив двухканальный, лучше четырёхканальный режим, подберите оптимальные настройки частоты, соотносимые с таймингом. Помните, прежде всего, что гарантию разгона вам никто не даст, одну память получится разогнать отлично, такую же другую - неудачно. Но не бойтесь, что память может выйти из строя, когда будете разгонять: при слишком высоко задранной она всего лишь не запустится.
Что делать, если разгон оказался неудачным? Обычно материнки снабжены функцией автоотката настроек, которую используйте, когда несколько раз после разгона компьютер не запустится. сможете также вручную, для чего примените перемычку Clear CMOS (она же JBAT).
Подбирается частота экспериментально, так же ставят напряжение питания, тайминги. Разумеется, нет гарантии, что подобранное соотношение будет лучше, чем на максимальном XMP-профиле. Часто при максимальном разгоне частоты приходится повышать тайминги.
Обязательно протестируйте утилитой AIDA64 Cache & Memory Benchmark получившийся у вас результат. Разгон может привести к падению скорости, став практически бесполезным. Обычно у низкочастотных версий потенциал выше, чем у топовых.
Установить память, её разгон - процессы несложные, особенно когда RAM поддерживает XMP-профили, уже готовые. Помните, что покупать ОЗУ на компьютер практичнее комплектом, чтобы получить прирост быстродействия от двухканального режима, не только от разгона. Советуем приобретать на компьютер низкопрофильную оперативку для избегания несовместимости, когда стоит крупноразмерный процессорный кулер. Следуйте советам, тогда сможете разогнать максимально быстродействие оперативки.
